발광 다이오드의 저항 측정 방법 및 장치
Method and Device for Measuring Resistance of LED
특허 요약
비파괴적으로 발광 다이오드의 저항값을 정확하게 측정할 수 있는 발광 다이오드의 저항 측정 방법 및 장치가 개시된다. 개시된 발광 다이오드의 저항 측정 방법은, 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 이용하여, 상기 발광 다이오드에 대한 주입 전류 중 제1발광 전류 성분을 측정하는 단계; 상기 제1발광 전류 성분을 모델링하여, 제2발광 전류 성분을 생성하는 단계; 및 상기 발광 다이오드로의 인가 전압에 따른 상기 제1 및 제2발광 전류 성분을 이용하여, 상기 발광 다이오드의 저항 값을 산출하는 단계를 포함한다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 발광 다이오드의 저항 측정 방법에 있어서,상기 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 이용하여, 상기 발광 다이오드에 대한 주입 전류 중 발광 전류 성분을 측정하는 단계; 및기 설정된 모델링 방법에 따라, 상기 발광 전류 성분을 모델링하고, 상기 발광 전류 성분에 따른 전압과, 상기 모델링 결과에 따른 전압 차이를 이용하여, 상기 발광 전류 성분에 대한 저항 값을 산출하는 단계를 포함하는 저항 측정 방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 저항 값을 산출하는 단계는상기 발광 전류 성분에 따른 전압과 상기 발광 전류 성분의 모델링 결과에 따른 전압의 차이를 상기 발광 전류 성분에 대해 선형적으로 근사화하여, 상기 발광 전류 성분에 대한 저항 값을 산출하는저항 측정 방법. |
| 3 | 발광 다이오드의 저항 측정 방법에 있어서,상기 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 이용하여, 상기 발광 다이오드에 대한 주입 전류 중 비발광 전류 성분을 측정하는 단계; 및기 설정된 모델링 방법에 따라, 상기 비발광 전류 성분을 모델링하고, 상기 비발광 전류 성분에 따른 전압과, 상기 모델링 결과에 따른 전압 차이를 이용하여, 상기 비발광 전류 성분에 대한 저항 값을 산출하는 단계를 포함하는 저항 측정 방법. |
| 4 | 제 3항에 있어서,상기 저항 값을 산출하는 단계는상기 비발광 전류 성분에 따른 전압과 상기 모델링 결과에 따른 전압의 차이를, 상기 비발광 전류 성분에 대해 선형적으로 근사화하여, 상기 비발광 전류 성분에 대한 저항 값을 산출하는저항 측정 방법. |
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