반응조 내에 호기성 입상 슬러지가 준비되는 단계;상기 반응조 내에 암모니아를 포함하는 처리수가 유입되는 단계; 상기 처리수를 폭기시켜, 상기 반응조 내에서, 상기 호기성 입상 슬러지에 의해 상기 처리수에 포함된 암모니아를 003c#화학식 1003e#과 같이 아질산으로 산화시키는 단계;상기 처리수가 상기 반응조 내에 유입된 후, 상기 반응조 내에 메탄올(CH3OH)을 주입하는 단계; 및상기 반응조 내에서, 상기 호기성 입상 슬러지 및 상기 메탄올에 의해, 003c#화학식 2003e#와 같이 아질산을 질소 가스로 환원시키는 단계를 포함하되,암모니아 산화균이 아질산 산화균보다 우점(優占)하여, 상기 처리수에 포함된 암모니아의 아질산화율이 질산화율보다 높은 것을 포함하는 호기성 입상 슬러지를 이용한 부분 질산화 방법. 003c#화학식 1003e#NH4+ + 1.5O2 -003e# NO2- + H2O + 2H+ 003c#화학식 2003e#6NO2- + 3CH3OH + 3CO2 -003e# 3N2 + 6HCO3- + 2H+

제1 항에 있어서,상기 암모니아를 아질산으로 산화시키는 단계는, 상기 호기성 입상 슬러지의 표면에서 수행되고, 상기 아질산을 질소로 환원시키는 단계는, 상기 호기성 입상 슬러지의 내부에서 수행되는 것을 포함하는 호기성 입상 슬러지를 이용한 부분 질산화 방법.

제2 항에 있어서, 상기 호기성 입상 슬러지의 상기 표면은 호기성 조건이고, 상기 호기성 입상 슬러지의 내부는 혐기성 조건인 것을 포함하는 호기성 입상 슬러지를 이용한 부분 질산화 방법.

제1 항에 있어서, 상기 반응조는 연속회분식 반응조를 포함하는 호기성 입상 슬러지를 이용한 부분 질산화 방법.

제1 항에 있어서, 암모니아가 아질산으로 산화되어, 상기 호기성 입상 슬러지의 크기(size)가 감소되는 것을 포함하는 호기성 입상 슬러지를 이용한 부분 질산화 방법.