기판;기판상에 형성되며, 탄소성분으로 이루어진 작업전극;기판상에 작업전극과 이격되어 형성되는 기준전극; 및작업전극과 기준전극간의 전위차를 측정하는 측정부;를 포함하며,상기 작업전극은 표적물질과 산화환원 반응 물질이 도포되어 있는 전기화학센서.

제1항에 있어서,작업전극은탄소나노튜브 페이스트(carbon nanotube paste), 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT, multi-walled carbon nanotube) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기화학센서.

제1항에 있어서, 기준전극은Ag/AgCl 전극 또는 카본 페이스트(carbon paste) 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기화학센서.

제1항에 있어서,전기화학센서는 헤모글로빈을 측정하는 것인 전기화학센서.

제4항에 있어서,측정부는헤모글로빈의 햄(HEME)기에 포함된 Fe2+와 산화환원 반응 물질의 가역적 산화환원 반응에 의해 형성된 상기 작업전극과 기준전극 사이의 전위차를 측정하는 전기화학센서.

제5항에 있어서,Fe2+ 와 가역적 산화환원 반응을 수행하는 산화환원 반응하는 물질은 페리시안산(ferricyanic acid), 페로센(ferrocene), 페로센유도체, 퀴논(quinones), 퀴논유도체, 유기전도성염(organic conducting salt), 비오로겐(viologen), 헥사아민루세늄(III)클로라이드(hexaammineruthenium(III) chloride), 디메틸페로센(dimethylferrocene; DMF), 페리시니움(ferricinium), 페로센모노카르복실산(ferocene monocarboxylic acid; FCOOH), 7,7,8,8,-테트라시아노퀴노디메탄(7,7,8,8-tetracyanoquino-dimethane; TCNQ), 테트라티아풀발렌(tetrathiafulvalene; TTF), 니켈로센(nickelocene; Nc), N-메틸아시디니움(N-methyl acidinium; NMA+), 테트라티아테트라센(tetrathiatetracene; TTT), N-메틸페나지니움(N-methylphenazinium; NMP+), 히드로퀴논(hydroquinone), 3-디메틸아미노벤조산(3-dimethylaminobenzoic acid; MBTHDMAB), 3-메틸-2-벤조티오조리논히드라존(3-methyl-2-benzothiozolinone hydrazone), 2-메톡시-4-아릴페놀(2-methoxy-4-allylphenol), 4-아미노안티피린(4-aminoantipyrin; AAP), 디메틸아닐린(dimethylaniline), 4-아미노안티피렌(4-aminoantipyrene), 4-메톡시나프톨(4-methoxynaphthol), 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘(3,3',5,5'-tetramethyl benzidine; TMB), 2,2-아지노-디-[3-에틸-벤즈티아졸린술포네이트](2,2-azino-di-[3-ethyl-benzthiazoline sulfonate]), o-디아니지딘(o-dianisidine), o-톨루이딘(otoluidine), 2,4-디클로로페놀(2,4-dichlorophenol), 4-아미노페나논(4-aminophenazone), 벤지딘(benzidine)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 전자전달 매개체인 전기화학센서.

제1항에 있어서,작업전극 및 기준전극의 상부에 위치하며, 시료가 유입되도록 일측에 개구가 형성되는 스페이서; 및스페이서의 상부에서 개구를 덮는 커버부; 를 포함하는 전기화학센서.

제1항에 있어서,전기화학센서는 스트립형태인 것인 전기화학센서.

제1항에 있어서,작업전극 및 기준전극은 측정부와 와 전도성 페이스트에 의해서 연결되는 전기화학센서.

기판상에 서로 이격되도록 작업전극 및 기준전극을 형성하는 단계;작업전극 및 기준전극이 형성된 기판에 스페이서를 덮어 작업전극과 기준전극으로 시료가 유입되는 공간을 형성하는 단계; 및작업전극 및 기준전극과 측정부를 연결하는 단계; 를 포함하는 전기화학센서 제조방법.

제10항에 있어서,작업전극을 형성하는 단계는광식각을 통하여 탄소성분막이 형성된 기판상에 감광성 고분자 패턴을 형성하는 단계;감광성 고분자 패턴이 형성된 상기 탄소성분막에 산소 플라즈마 에칭처리를 수행하는 단계; 및알코올을 이용하여 상기 감광성 고분자를 제거하여 패터닝된 탄소성분막의 패턴을 형성단계;를 포함하는 전기화학센서 제조방법.

제10항에 있어서,기준전극을 형성하는 방법은기판에 기준전극형상의 몰드를 형성하는 단계;몰드 내에 Ag/AgCl 페이스트를 주입하여 소성하는 단계; 및몰드를 분리하는 단계; 를 포함하는 전기화학센서 제조방법.

제10항에 있어서,상기 스페이서의 상부에 커버부를 부착하는 단계를 더 포함하는 전기화학센서 제조방법.