| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 발광다이오드;상기 발광다이오드에서 출사된 제1광을 변조하는 광변조기; 및상기 발광다이오드와 광변조기 사이에 배치되어 상기 제1광의 반치폭을 감소시키는 필터를 포함하고,상기 발광다이오드와 광변조기는 GaN을 포함하고,상기 제1광은 청색 또는 녹색 파장대의 광이고,상기 발광다이오드는, 제1하부 반도체층; 상기 제1하부 반도체층 상에 배치된 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치된 제1상부 반도체층을 포함하고,상기 광변조기는, 제2하부 반도체층; 상기 제2하부 반도체층 상에 배치되어 상기 발광다이오드에서 출력된 광을 흡수하는 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 배치되는 제2상부 반도체층을 포함하고,상기 활성층과 상기 광흡수층은 복수 개의 양자우물층과 복수 개의 양자장벽층이 적층된 구조를 갖고,상기 광흡수층은 역바이어스 전압 인가시 에너지 밴드갭이 커져 상기 제1광을 통과시키는 광 송신모듈. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 필터는 제1굴절률을 갖는 제1광학층, 및 제2굴절률을 갖는 제2광학층을 포함하고, 상기 제2굴절률은 상기 제1굴절률보다 높은 광 송신모듈. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 발광다이오드와 상기 광변조기는 질화물 반도체층을 포함하는 광 송신모듈. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 활성층 및 광흡수층은 GaN을 포함하고,상기 광흡수층의 에너지 밴드갭은 상기 활성층의 에너지 밴드갭의 0.85배 내지 1.15배인 광 송신모듈. |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 광흡수층은 역바이어스 전압 인가시 흡수 파장대가 상기 제1광의 파장대보다 짧아지는 광 송신모듈. |
| 10 | 제1항, 제3항, 제4항, 제7항 및 제9항 중 어느 한 항에 따른 광 송신모듈을 포함하는 광트랜시버. |
| 11 | 제10항에 따른 광트랜시버를 포함하는 통신 시스템. |
