상온에서 동작 가능한 질소산화물 검출용 가스 센서로서,질소산화물을 검출하는 가스 센싱 부재;를 포함하고,상기 가스 센싱 부재는 SnO2 코어 및 상기 코어의 표면에 형성된 SnSe2층을 갖는 헤테로 구조의 나노와이어를 포함하는, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항에 있어서,기판상에 배치된 전극층;을 더 포함하고,상기 가스 센싱 부재는 상기 전극층상에 배치되는, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항에 있어서,게이트 전극;상기 게이트 전극상에 배치된 기판; 및상기 기판상에 배치된 소스 및 드레인 전극층;을 더 포함하고,상기 가스 센싱 부재는 상기 소스 및 드레인 전극층 상에 배치되고,게이트 전압을 인가하여 질소산화물을 검출하는, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제3항에 있어서,상기 게이트 전압은 0.5V 내지 2.5V인, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항에 있어서,상기 가스 센싱 부재는 상기 나노와이어의 네트워크 구조를 갖는, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항에 있어서,상기 SnO2 코어는 평균 직경이 10nm 내지 50nm인 나노 와이어인, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항에 있어서,상기 SnSe2층은 두께가 1nm 내지 5nm인, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항에 있어서,상기 질소산화물 검출용 가스 센서는 질소산화물을 포함하는 혼합 가스로부터 질소산화물을 선택적으로 검출하는, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제7항에 있어서,상기 혼합 가스는, 아세톤(C3H6O), 벤젠(C6H6) 및 톨루엔(C7H8)을 포함하는, 질소산화물 검출용 가스 센서.

제1항의 질소산화물 검출용 가스 센서의 제조방법으로서,질소산화물을 검출하는 가스 센싱 부재를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 가스 센싱 부재는SnO2 코어 및 상기 코어의 표면에 형성된 SnSe2층로 이루어진 헤테로 구조의 나노와이어를 포함하는, 질소산화물 검출용 가스 센서의 제조방법.

제10항에 있어서,상기 가스 센싱 부재를 형성하는 단계는,기판상에 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 상에 SnO2 나노와이어를 형성하는 단계; 및기상의 Se가 제공되는 분위기에서 상기 SnO2 나노와이어를 열처리하여 SnO2 나노와이어 표면에 SnSe2층을 형성하는 단계;를 포함하는, 질소산화물 검출용 가스 센서의 제조방법.

제10항에 있어서,상기 가스 센싱 부재를 형성하는 단계는,게이트 전극상에 기판을 형성하는 단계;상기 기판상에 소스 및 드레인 전극층을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극층 상에 SnO2 나노와이어를 형성하는 단계; 및기상의 Se가 제공되는 분위기에서 상기 SnO2 나노와이어를 열처리하여 SnO2 나노와이어 표면에 SnSe2층을 형성하는 단계;를 포함하고,게이트 전압을 인가하여 질소산화물을 검출하는, 질소산화물 검출용 가스 센서의 제조방법.

제11항 또는 제12항에 있어서,상기 열처리는 450℃ 내지 650℃의 온도에서 수행되는, 질소산화물 검출용 가스 센서의 제조방법.