제1항에 있어서, 아날로그 디지털 변환기는 아날로그 광전자 신호의 입력 여부에 따라 출력 전압을 결정하고, 인버팅된 디지털 신호를 전계효과 트랜지스터로 증폭된 전류로 출력하고,전계효과 트랜지스터는 인버팅된 디지털 신호를 입력으로 이용하여 디지털 신호 처리를 수행하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램.

제1항에 있어서,아날로그 디지털 변환기 및 디지털 아날로그 변환기는 빛, 소리, 온도를 포함하는 복수의 아날로그 광전자 신호에 대하여 상응하는 디지털 아날로그 변환기 및 아날로그 디지털 변환기로서 구성 가능한 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램.

아날로그-디지털 인터페이스 정적 램에 있어서,상기 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램은 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하고, 상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각은, 입력된 아날로그 광전자 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기; 변환된 디지털 신호를 디지털 신호 처리를 통해 증폭된 전류 출력 신호를 생성하는 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET); 및 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 광전자 신호를 출력하는 디지털 아날로그 변환기를 포함하고, 제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되어 정적 램으로 동작하고, 아날로그 광전자 신호를 아날로그 구동의 신호 및 정보로 사용함으로써 시스템 수준에서 신호 처리 과정을 가시적으로 확인하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램.

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제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터를 포함하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법에 있어서,상기 제1 광전자 인버터 및 제2 광전자 인버터 각각의 동작 방법은, 입력된 아날로그 광전자 신호를 아날로그 디지털 변환기를 통해 디지털 신호로 변환하는 단계; 변환된 디지털 신호를 전계효과 트렌지스터(HEXFET 또는, MOSFET)를 통해 디지털 신호 처리하여 증폭된 전류 출력 신호를 생성하는 단계; 및 디지털 아날로그 변환기를 통해 전계효과 트렌지스터의 출력 신호를 입력으로 받아 아날로그 광전자 신호를 출력하는 단계 를 포함하고, 제1 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제2 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되고, 제2 광전자 인버터의 디지털 아날로그 변환기로부터 출력되는 아날로그 광전자 신호는 제1 광전자 인버터의 아날로그 디지털 변환기의 입력으로서 입력되어 정적 램으로 동작하고, 아날로그 광전자 신호를 아날로그 구동의 신호 및 정보로 사용함으로써 시스템 수준에서 신호 처리 과정을 가시적으로 확인하는아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법.

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제5항에 있어서, 아날로그 디지털 변환기를 통해 외부 환경의 광 정보를 디지털 신호로 변환하는 단계는, 아날로그 광전자 신호의 입력 여부에 따라 출력 전압을 결정하고, 인버팅된 디지털 신호를 전계효과 트랜지스터로 출력하는 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램의 동작 방법.