| 번호 | 청구항 |
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| 15 | 팔라듐 전구체 용액을 준비하는 단계(단계 1);산화아연 나노와이어를 포함하는 가스 센서를 상기 단계 1의 팔라듐 전구체 용액에 침지시킨 후, 자외선을 조사하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 감마선이 조사된 산화아연 나노와이어를 포함하는 가스센서를 열처리하여 팔라듐 나노입자를 상기 나노와이어 상에 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 벤젠을 선택적으로 감지하는 가스 센서 제조방법. |
| 16 | 제 15항에 있어서, 상기 단계 2의 자외선 조사는 1초 내지 5분 조사되는 것을 특징으로 하는 벤젠을 선택적으로 감지하는 가스센서 제조방법. |
| 17 | 제 15항에 있어서, 상기 단계 2의 자외선 조사는 0.11 mW/Cm2 내지 3.0 mW/Cm2 조사량으로 조사되는 것을 특징으로 하는 벤젠을 선택적으로 감지하는 가스센서 제조방법. |