| 번호 | 청구항 |
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| 4 | 제3항에 있어서,상기 중간층이 InGaN인 경우, InGaN에서 In은 5% 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 10 ~ 100 nm인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 중간층의 홀(Hole) 농도는 5×1017 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 중간층은 Mg 또는 Zn으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 8 | 제7항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 5×1018 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 활성층은 다중양자우물층인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 중간층은 GaN 또는 InGaN인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 1 | 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성되며 p형 도핑된 중간층; 및상기 중간층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;을 포함하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 상기 p형 질화물 반도체층의 도핑 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드. |
| 10 | 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 p형 도핑된 중간층을 형성하는 단계; 및상기 중간층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법. |
| 11 | 제10항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 상기 p형 질화물 반도체층의 도핑 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법. |
| 12 | 제10항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계에서,상기 중간층은 10 ~ 100 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법. |
| 13 | 제10항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계에서,상기 중간층의 홀 농도는 5×1017 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법. |
| 14 | 제10항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계에서,상기 중간층은 Mg 또는 Zn으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법. |
| 15 | 제14항에 있어서,상기 중간층의 도핑 농도는 5×1018 cm-3 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조 방법. |
