| 번호 | 청구항 |
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| 7 | 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 스위칭 활성층을 형성하는 단계;상기 스위칭 활성층을 열처리하여 열 활성화 중합반응을 진행하는 단계; 및상기 열처리된 스위칭 활성층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 스위칭 활성층을 형성하는 단계는,금속 전구체를 포함하는 용액에 가교 가능한 리간드를 첨가하여 혼합 용액을 형성하는 단계;상기 혼합 용액을 에이징(Aging) 처리하여 금속-옥소 결정을 수득하는 단계;상기 금속-옥소 결정을 2-메톡시에탄올에 용해시켜 금속 기반 용액을 형성하는 단계; 및상기 금속 기반 용액으로 스위칭 활성층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 가교 가능한 리간드는 메타크릴레이트 리간드(OMc-), 아크릴레이트(CH2CHCOO-, Acrylate) 리간드, 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것이고,상기 금속 전구체는 지르코늄 n-프로폭사이드, 하프늄 n-프로폭사이드, 및 티타늄 n-프로폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고성능 유연 시냅스 멤리스터 제조방법. |
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| 9 | 제7항에 있어서, 상기 열 활성화 중합반응을 진행하는 단계는,상기 스위칭 활성층 내부에서 상기 가교 가능한 리간드의 이중결합(C=C)이 열에 의해 반응하여 단일결합(C-C)으로 전환되고, 그 과정에서 가교 구조가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 고성능 유연 시냅스 멤리스터 제조방법. |
| 10 | 제7항에 있어서, 상기 열 활성화 중합반응을 진행하는 단계는,100℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 진행하는 것을 특징으로 하는 고성능 유연 시냅스 멤리스터 제조방법. |
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| 12 | 제7항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는,쉐도우 마스크를 사용하여 열 증착 공정을 통해 진행하는 것을 특징으로 하는 고성능 유연 시냅스 멤리스터 제조방법. |
