양자점 발광 소자에 적용되는 전자 수송층 박막의 제조 방법에 있어서,상기 전자 수송층 박막은 슈퍼사이클 원자층 증착(Supercycle Atomic Layer Deposition)을 통해 형성되며,상기 슈퍼사이클 원자층 증착은 다음 (a) 내지 (d)단계를 포함하여 수행되고,(a) n-타입 금속산화물을 원자층 증착하고,(b) 합금화 또는 도펀트 금속산화물을 원자층 증착하는 단계,(c) 다시 n-타입 금속산화물을 원자층 증착하고,(d) 상기 (b) 단계와는 다른 합금화 또는 도펀트 금속산화물을 원자층 증착하는 단계,상기 슈퍼사이클 원자층 증착을 반복 수행하며,상기 n-타입 금속산화물은 ZnO, TiO2, SnO2 In2O3, 및 WO3로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상이고,상기 합금화 또는 도펀트 금속산화물은 MgO, Y2O3, NiO, Al2O3, 및 Ga2O3 로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상인, 양자점 발광 소자에 적용되는 전자 수송층 박막의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 슈퍼사이클 원자층 증착에서,(a), 또는 (c) 단계는 3 내지 100회 수행될 수 있는 양자점 발광 소자에 적용되는 전자 수송층 박막의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 슈퍼사이클 원자층 증착에서,(b), 또는 (d) 단계는 1 내지 20회 수행될 수 있는 양자점 발광 소자에 적용되는 전자 수송층 박막의 제조 방법.

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제1항에 있어서,상기 슈퍼사이클 원자층 증착의 반복 횟수는 2 내지 1000회인 양자점 발광 소자용 전자 수송층 박막의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 하나 이상의 합금화 또는 도펀트 금속산화물의 비율은 전체 박막 대비 1 내지 50 원자수% 인 양자점 발광 소자용 전자 수송층 박막의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 원자층 증착의 단위 사이클은 금속 산화물 전구체 펄싱(pulsing) 및 퍼징(purging) 후 반응물 펄싱 및 퍼징 단계를 포함하고, 여기서 반응물은 정제수 또는 탈이온수인, 양자점 발광 소자용 전자 수송층 박막의 제조 방법.

제1항에 따른 제조 방법으로 제조되고, n-타입 금속산화물에 하나 이상의 합금화 또는 도펀트 금속산화물이 포함되는 양자점 발광 소자에 적용되는 전자 수송층 박막.

제10항에 있어서,상기 하나 이상의 합금화 또는 도펀트 금속산화물의 비율은 전체 박막 대비 1 내지 50 원자수% 인 양자점 발광 소자용 전자 수송층 박막.

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양극; 음극; 양극 및 음극 사이에 위치한 양자점 발광층; 양극과 양자점 발광층 사이에 위치한 정공 수송층; 및 음극과 양자점 발광층 사이에 위치한 전자 수송층;을 포함하고, 상기 전자 수송층은 제1항에 따른 제조 방법으로 제조된 전자 수송층 박막을 포함하는 양자점 발광 소자.