제5 항에 있어서, 상기 히터척 모듈은,히터척 바디;상기 히터척 바디에 연결되어 회전하는 히터척 축;상기 히터척 축의 일 단에 연결되되, 제1 폭 및 상기 제1 폭과 직교하는 방향으로 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 포함하는 단면을 가지는 걸림부를 포함하고,상기 히터 모듈은,상기 히터를 둘러싸는 히터 하우징; 및상기 히터 하우징 상에 배치되되, 상기 걸림부에 대응되는 단면 형상의 홀을 가지는 고정부를 포함하고,상기 걸림부는,상기 고정부와 대응되는 단면 형상으로 배치되어 상기 홀에 관통되고,상기 홀에 관통된 상태에서 상기 히터척 축의 회전에 따라 회전하여, 상기 고정부에 고정되는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

서로 마주보되 이격되어 이격공간을 형성하는 한 쌍의 마그넷부를 포함하되,한 쌍의 상기 마그넷부에 의해 상기 이격공간에 형성된 자기장에 의해 형성되는 플라즈마를 통해 기판 상에 2차원 물질이 증착되는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제1 항에 있어서, 복수의 마그넷이 적층된 상기 마그넷부; 및상기 마그넷부를 둘러싸는 캐소드 하우징을 포함하는, 캐소드 모듈을 포함하되,상기 캐소드 하우징은,상기 이격공간을 향하는 상기 마그넷부의 일 측 및 타 측에 각각 배치되어, 복수의 상기 마그넷이 적층된 구조를 유지하는 제1 및 제2 마그넷 플레이트;상기 마그넷부의 일 측에 배치된 상기 제1 마그넷 플레이트에 일 측이 접촉되는 냉각 플레이트;상기 냉각 플레이트의 타 측에 접촉되되, 타겟이 배치되는 타겟 플레이트;상기 마그넷부의 타 측에 배치된 상기 제2 마그넷 플레이트를 둘러싸는 애노드 마그넷 하우징;상기 애노드 마그넷 하우징 외 측에 배치되는 캐소드 베이스 플레이트;상기 애노드 마그넷 하우징 및 상기 캐소드 베이스 플레이트 사이에 배치되는 절연체;상기 애노드 마그넷 하우징의 양 측에 각각 배치되어, 상기 애노드 마그넷 하우징의 전기장을 유지하는 한 쌍의 애노드 벽 플레이트; 및한 쌍의 상기 애노드 벽 플레이트의 일 단에서, 상기 타겟 플레이트에 배치된 상기 타겟 방향으로 각각 연장되는 한 쌍의 애노드 커버 플레이트를 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제2 항에 있어서, 상기 마그넷부, 및 상기 캐소드 하우징을 포함하는 상기 캐소드 모듈;상기 캐소드 모듈의 각도를 조절하는 각도 조절 모듈; 및상기 캐소드 모듈을 이동시키는 이동 모듈을 포함하는, 스퍼터링 유닛을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제3 항에 있어서, 한 쌍의 상기 캐소드 모듈을 향하여 상기 기판을 연직 이동시키는 연직 이동 모듈; 및한 쌍의 상기 캐소드 모듈 상에서 상기 기판을 스캐닝 이동시키는 스캔 모듈을 포함하는, 기판 이동 유닛을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제4 항에 있어서, 상기 기판 상에 배치되는 히터를 포함하는 히터 모듈; 및상기 히터 모듈을 상기 기판 상에 밀착시키는 히터척 모듈을 포함하는, 히팅 유닛을 포함하되,상기 히팅 유닛은, 상기 스퍼터링 유닛에 의해 상기 기판 상에 상기 2차원 물질이 증착되는 동안에, 상기 기판을 열처리하는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제5 항에 있어서, 상기 연직 이동 모듈, 및 상기 스캔 모듈을 포함하는 상기 기판 이동 유닛;상기 캐소드 모듈, 상기 각도 조절 모듈, 및 상기 이동 모듈을 포함하는 상기 스퍼터링 유닛; 및상기 히터척 모듈, 및 상기 히터 모듈을 포함하는 상기 히팅 유닛을 포함하는, 프로세스 챔버를 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제7 항에 있어서, 상기 기판을 상기 프로세스 챔버로 이송시키는 기판 이송 유닛; 및상기 기판 이송 유닛을 통한 상기 기판의 이송 전에, 상기 기판을 전처리하는 전처리 유닛을 포함하는, 로드락 챔버를 포함하되,상기 기판은,상기 로드락 챔버 내부에서 상기 프로세스 챔버 내부로 벤트 없이 이송되는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제8 항에 있어서, 상기 전처리 유닛은,상기 기판의 표면을 친수성 처리하는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

제8 항에 있어서, 상기 기판 이송 유닛, 및 상기 전처리 유닛을 포함하는 상기 로드락 챔버;상기 기판 이동 유닛, 상기 스퍼터링 유닛, 및 상기 히팅 유닛을 포함하는 상기 프로세스 챔버; 및상기 로드락 챔버 및 상기 프로세스 챔버 중에서 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 제어부를 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

기판을 이송시키되, 상기 기판의 이송 전에, 상기 기판을 전처리하는 로드락 챔버;상기 로드락 챔버로부터 이송된 상기 기판 상에, 고립된 자기장에 의해 형성된 플라즈마를 통해 2차원 물질을 증착하는 프로세스 챔버; 및상기 로드락 챔버 및 상기 프로세스 챔버 중에서 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 제어부를 포함하되,상기 고립된 자기장에 의해 형성된 상기 플라즈마를 통해, 상기 기판 상에 상기 2차원 물질이 라디칼 형태의 원자로 증착되는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 장치.

서로 마주보되 이격되어 이격공간을 형성하는 한 쌍의 마그넷부에 의해 상기 이격공간에 형성된 자기장을 통해 플라즈마가 형성되는 단계; 및상기 플라즈마를 통해 기판 상에 2차원 물질이 증착되는 단계 포함하는, 2차원 물질 증착 방법.

제12 항에 있어서, 상기 2차원 물질은,상기 자기장을 통해 형성된 상기 플라즈마에 의해 라디칼 형태의 원자로 증착되는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 방법.

제12 항에 있어서, 상기 기판이 배치될 스테이지가, 상기 기판이 로딩될 위치로 설정된 로딩 위치로 이동하는 단계;상기 스테이지가 히터척 축을 향하여 상기 로딩 위치보다 상승하고, 상기 히터척 축의 일 단에 연결되되, 제1 폭 및 상기 제1 폭과 직교하는 방향으로 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 포함하는 단면을 가지는 걸림부가, 상기 걸림부에 대응되는 단면 형상의 홀을 가지는 고정부의 상기 홀에 관통되고, 상기 걸림부가 상기 홀에 관통된 상태에서 상기 히터척 축의 회전에 따라 회전하여 상기 고정부에 고정되어, 히터가 상기 스테이지 상에 고정되는 단계;상기 히터가 고정된 상기 스테이지가 상기 로딩 위치로 하강하고, 상기 히터의 하측에 상기 기판을 수용하는 단계;상기 기판을 수용한 상기 스테이지가 상기 로딩 위치보다 상승하여, 상기 히터의 하측에 수용된 상기 기판과 상기 히터가 밀착되는 단계; 및상기 히터척 축의 회전에 따라 상기 걸림부가 상기 고정부의 홀의 형상에 대응되는 단면 형상을 가지도록 배치되고, 상기 스테이지가 상기 로딩 위치로 하강하여, 상기 걸림부가 상기 고정부에서 이탈하는 단계를 포함하는, 2차원 물질 증착 방법.

제14 항에 있어서, 상기 히터가 밀착된 상기 기판을 포함하는 상기 스테이지가, 한 쌍의 상기 마그넷부를 향하여 연직 이동하는 단계; 및상기 히터가 밀착된 상기 기판을 포함하는 상기 스테이지가, 한 쌍의 상기 마그넷부 상에서 스캐닝 이동하고, 상기 플라즈마를 통해 상기 기판 상에 2차원 물질이 증착되는 단계를 포함하되,상기 기판은, 상기 2차원 물질이 증착되는 동안에, 상기 히터에 의해 열처리되는 것을 포함하는, 2차원 물질 증착 방법.