| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 하기 화합물 1-1 및 화합물 1-2의 화합물 중 하나 이상을 포함하는 제1 불소계 화합물; 및 하기 화합물 2를 포함하는 제2 불소계 화합물을 포함하고,진공 증착되어 포토레지스트 박막을 형성하는, 포토레지스트용 조성물:[화합물 1-1][화합물 1-2][화합물 2] |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 제1항에 있어서, 상기 화합물 1-1 및 상기 화합물 2를 1 : 3 내지 8 중량비로 포함하고,상기 포토레지스트 박막은 비노광 영역이 현상되는, 포토레지스트용 조성물. |
| 5 | 제1항에 있어서, 상기 화합물 1-1 및 상기 화합물 2를 1 : 9 내지 15 중량비로 포함하고,상기 포토레지스트 박막은 노광 영역이 현상되는, 포토레지스트용 조성물. |
| 6 | 제1항에 있어서, 상기 화합물 1-2 및 상기 화합물 2를 1 : 3 내지 8 중량비로 포함하고,상기 포토레지스트 박막은 비노광 영역이 현상되는, 포토레지스트용 조성물. |
| 7 | 제1항에 있어서, 상기 화합물 1-2 및 상기 화합물 2를 1 : 10 내지 15 중량비로 포함하고,상기 포토레지스트 박막은 노광 영역이 현상되는, 포토레지스트용 조성물. |
| 8 | 유기 반도체 박막 상부에 하기 화합물 1-1 및 화합물 1-2의 화합물 중 하나 이상을 포함하는 제1 불소계 화합물 및 하기 화합물 2를 포함하는 제2 불소계 화합물을 진공증착하여 포토레지스트 박막을 형성하는 제1 단계;상기 포토레지스트 박막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 제2 단계; 상기 유기 반도체 박막을 건식 식각하는 제3 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제4 단계;를 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조방법:[화합물 1-1][화합물 1-2][화합물 2] |
| 9 | 제1 유기 반도체 박막 상부에 하기 화합물 1-1 및 화합물 1-2의 화합물 중 하나 이상을 포함하는 제1 불소계 화합물 및 하기 화합물 2를 포함하는 제2 불소계 화합물을 진공증착하여 포토레지스트 박막을 형성하는 제1 단계;상기 포토레지스트 박막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 제2 단계; 상기 포토레지스트 패턴 상에 제2 유기 반도체 박막을 증착하는 제3 단계; 및불소계 용제를 이용하여 상기 포토레지스트 패턴을 리프트-오프(lift-off)하는 제4 단계;를 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조방법:[화합물 1-1][화합물 1-2][화합물 2] |
| 10 | 삭제 |
| 11 | 삭제 |
| 12 | 제8항 또는 제9항에 있어서,상기 제2 단계는, 상기 포토레지스트 박막에 대해 마스크를 이용한 자외선 노광 공정 후 불소계 용제를 이용하여 현상하는 단계를 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조방법. |
| 13 | 제12항에 있어서, 상기 불소계 용제는 HFE-7100, HFE-7200, HFE-7300, HFE-7500, PF-7400, PF-7500, PF-7600, FC-72, FC-84, FC770, F-40, FC-43, FC-70 및 FC-3283 로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조방법. |
| 14 | 제8항에 있어서, 상기 제4 단계는,상기 포토레지스트 패턴을 불소계 스트리핑 용제로 용해시키는 단계를 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조방법. |
