나노베지클을 PBS(phosphate buffered saline) 용액에 용해하여 혼합액을 제조하는 단계;상기 나노베지클이 포함된 혼합액을 플라즈마 제트 장치에 투입하는 단계;및상기 플라즈마 제트 장치에 기 설정된 전압을 인가하고 기 설정된 가스 유량 조건으로 상기 나노베지클의 표면에 플라즈마 코팅을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

제1항에 있어서,상기 나노베지클의 표면에 플라즈마 코팅을 수행하는 단계에서,상기 나노베지클 표면의 전하가 음전하에서 중성으로 전환되는 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

제1항에 있어서,상기 혼합액을 제조하는 단계에서,상기 혼합액에서 상기 나노베지클의 함량은 전체 혼합액 대비 1wt% 내지 99.99wt% 만큼 포함하는 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

제1항에 있어서,상기 혼합액을 제조하는 단계에서,상기 혼합액에서 상기 PBS 용액의 농도는 0.001 M 내지 1　M 인 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

제1항에 있어서,상기 나노베지클의 표면에 플라즈마 코팅을 수행하는 단계에서,상기 플라즈마 발생을 위한 인가 전압은 1 kW 내지 50 kW 인 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

제1항에 있어서,상기 나노베지클의 표면에 플라즈마 코팅을 수행하는 단계에서,상기 플라즈마 발생을 위한 인가 주파수는 1 kHz내지 100 kHz 주파수에서 인가되는 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

제1항에 있어서,상기 나노베지클의 표면에 플라즈마 코팅을 수행하는 단계에서,상기 플라즈마 코팅 공정에서 인가되는 가스의 유량은 1 ccm/min 내지 50 ccm/min 인 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅 방법.

플라즈마 소스 장치;상기 플라즈마 소스 장치의 일 측면에 배치되는 제1전극;상기 플라즈마 소스 장치의 일 측면에 배치되되, 제1전극에 배향되어 배치되는 제2전극;상기 플라즈마 소스 장치와 연결되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전원 장치;상기 플라즈마 소스 장치의 제1전극 또는 제2전극과 연결되어 내부로 가스가 주입되도록 하는 가스 투입 장치;및상기 제1 전극 또는 제2 전극 중 어느 하나의 전극과 연결되는 노즐 및 플라즈마 증착 스테이지로 구성되되, 상기 플라즈마 소스 장치와 플라즈마 발생 장치에 의해서 발생된 플라즈마가 상기 노즐을 통해 주입되어 상기 플라즈마 증착 스테이지 상에 위치된 나노베지클 표면에 플라즈마 코팅이 되도록 하는 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노베지클 표면의 플라즈마 코팅을 위한 플라즈마 제트 장치.

제8항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극 중 상기 노즐과 연결되지 않은 전극의 일면이 유전체 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 제트 장치.

제8항에 있어서,상기 챔버 내부에 투입되는 나노베지클은 나노베지클을 PBS(phosphate buffered saline) 용액에 용해한 혼합액이 투입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 제트 장치.

제8항에 있어서,상기 플라즈마 소스는 N2, O2, H2O2, OH 및 O3로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 제트 장치.

제8항에 있어서,상기 플라즈마 제트 장치에 의해 상기 나노베지클 표면의 전하가 음전하에서 중성으로 전환되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 제트 장치.