수소 도핑을 통한 IGTO 박막 에칭 방법
IGTO thin film etching method through hydrogen doping
특허 요약
본 발명의 일실시예는 수소 도핑된 IGTO 박막을 다양한 농도와 조성의 산성 용액과 반응시켜 수소 도핑된 IGTO 전극에 적용 가능한 최적의 에칭 용액(etching solution) 및 농도를 결정할 수 있고, 수소 도핑된 IGTO 박막을 제조하여 OLED 전극 제조시 에칭 활성도가 향상되며 OLED 전극의 전도도 역시 향상될 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 기판 상에 인듐-갈륨-타이타늄-옥사이드(In-Ga-Ti-O, IGTO) 박막을 증착시키는 단계;상기 증착 과정에서 수소 기체를 공급하여, IGTO 박막 내에 수소 원자를 도핑하는 단계; 및상기 수소 도핑된 IGTO 박막을 에칭하는 단계를 포함하는, IGTO 박막 에칭 방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 박막을 증착시키는 단계는 마그네트론 스퍼터링(Magnetron sputtering) 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, IGTO 박막 에칭 방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 수소 원자를 도핑하는 단계는 아르곤 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는, IGTO 박막 에칭 방법. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 수소 원자를 도핑하는 단계에서 압력은 4.0 × 10-7 Torr 이하인 것을 특징으로 하는, IGTO 박막 에칭 방법. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 수소 원자 도핑은 상기 박막의 산소 공공에 수소 원자가 위치하여 캐리어 농도가 증가하고 에칭 반응 활성도가 향상되는 것을 특징으로 하는, IGTO 박막 에칭 방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 에칭 반응은 습식 에칭 반응인 것을 특징으로 하는, IGTO 박막 에칭 방법. |
| 7 | 제1항의 방법에 따라 IGTO 박막을 에칭하여 제조한 OLED 전극. |
| 8 | 제7항에 있어서,상기 에칭 반응에서 에칭 용액은 염산인 것을 특징으로 하는, OLED 전극. |
