다층 박막 식각 공정 개선을 위한 식각 용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 식각 용액
A method of manufacturing an etching solution to improve the multi-layered thin film etching process and an etching solution manufactured thereby
특허 요약
본 발명의 일실시예는 전기적, 광학적, 기계적으로 우수한 산화물-금속-산화물 다층 전극(oxide-metal-oxide)에 적합한 새로운 습식 식각 용액을 제공하고, 이러한 다층 투명 전극에 적합한 습식 식각 공정을 통해 불필요한 공정 과정을 생략하여 공정 비용을 절감하고, 공정의 단순화를 통한 생산 속도 향상 및 대량 생산 가능성을 확보할 수 있다.
청구항
번호청구항
7

제1항에 있어서,상기 식각 용액(1)은 옥살산 용액인 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

8

제1항에 있어서,상기 식각 용액(2)는 질산인 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

1

식각 용액(1)을 준비하는 단계;식각 용액(2)를 준비하는 단계;다층 박막 중 산화물 박막에 대하여 상기 용액(1)의 농도에 따른 식각 속도를 계산하는 단계;다층 박막 중 금속 박막에 대하여 상기 용액(2)의 농도에 따른 식각 속도를 계산하는 단계; 및상기 용액(1)과 상기 용액(2)를 혼합하여 식각 용액을 제조하는 단계;를 포함하되,상기 식각 용액(1)은 금속에 반응성이 낮고 산화물에 반응성이 높은 산화물 박막 선택성 용액인 것이고,상기 식각 용액(2)는 금속에 반응성이 높고 산화물에 반응성이 낮은 금속 박막 선택성 용액인 것이며,상기 식각 용액은 상기 산화물 박막의 두께 및 상기 금속 박막의 두께에 대한 각 식각 시간이 일치하는 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

2

삭제

3

삭제

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제1항에 있어서,상기 다층 박막의 구조는 산화물-금속-산화물(oxide-metal-oxide) 박막인 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

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제1항에 있어서,상기 산화물 박막은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 박막인 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

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제1항에 있어서,상기 금속 박막은 은-팔라듐-구리(Ag-Pd-Cu, APC) 합금 박막인 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

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제1항에 있어서,상기 식각 속도를 계산하는 단계는 저항 변화 측정을 통해 저항이 0일 때 식각 공정이 완료되었음을 판단하여 식각 속도를 계산할 수 있는 것을 특징으로 하는, 식각 용액 제조방법.

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제1항에 따라 제조된 식각 용액.

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제10항에 있어서,상기 식각 용액은 산화물-금속-산화물 다층막용 식각 용액인 것을 특징으로 하는, 식각 용액.

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제10항에 있어서,상기 식각 용액은 산화물 선택성 식각 용액과 금속 선택성 식각 용액의 혼합으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 식각 용액.