기판 위에 서로 다른 물질의 제1 타겟 및 제2 타겟이 설치된 RF/DC 마크네트론 공동 스퍼터링 방법으로 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 정공수송층을 형성하는 단계,상기 정공 수송층 위에 광활성층을 형성하는 단계,상기 광활성층 위에 전자 수송층을 형성하는 단계,상기 전자 수송층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 타겟에는 RF 파워건을 연결하고, 제2 타겟에는 DC 파워건을 연결하는 태양 전지의 제조 방법.

제1항에서,상기 제1 타겟은 V2O5 으로 이루어지고, 제2 타겟은 InZnO로 이루어지는 태양 전지의 제조 방법.

제1항에서,상기 제1 전극을 형성하는 단계에서,상기 RF 파워건의 파워는 100W 내지 150W로 변화시키면서 스퍼터링하는 태양 전지의 제조 방법.

제3항에서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는상기 제1 타겟의 파워가 100W 내지 175W이고, 상기 제2 타겟의 파워가 160W인 상태에서 스퍼터링하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.

비정질 IZVO로 이루어지는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 정공수송층,상기 정공수송층 위에 형성되어 있는 광활성층,상기 광활성층 위에 형성되어 있는 전자수송층,상기 전자수송층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하는 태양 전지.

제5항에서,상기 비정질 IZVO는 상기 IZVO를 이루는 총 원소에 대하여 0.4at.% 내지 1.5at.%의 바나듐(V)을 포함하는 태양 전지.

제6항에서,상기 비정질 IZVO는33.3at.% 내지 31.6 at.%의 인듐(In), 5.3at.% 내지 5.5at.%의 아연(Zn) 및 나머지가 산소(O)로 이루어지는 태양 전지.

제5항에서,상기 제1 전극은 200nm의 두께에서 25 Ω/sq.이하의 면저항, 2,000 S/cm이상의 전도도, 88%이상의 광투과율, 5mm의 임계 굽힘 반경을 가지는 태양 전지.