| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는, 리버서블 양자점 리간드로서,상기 리버서블 양자점 리간드는 이웃한 하기 화학식 1의 A간의 가교 및 해리 반응을 가역적으로 수행하는 것이고,상기 리버서블 양자점 리간드는 230 nm 내지 280 nm의 파장대의 광원에 의하여 해리 반응이 수행되는 것인,리버서블 양자점 리간드:[화학식 1]A-L-B;상기 화학식 1에서,L은 선형의 C7-10의 알킬렌기이고,B는 -NH2, -SH, 또는 -C(=O)OH이고,A는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로서 표시되는 것이고,[화학식 2],[화학식 3],상기 화학식 2 및 화학식 3에서,X는 -H, 선형 또는 분지형의 C1-4의 알킬기, 할로겐기, 아릴기, -CN, -N(R2)2, -OR2, 또는 -SR2이고,R2는 -H, 선형 또는 분지형의 C1-6의 알킬기, 또는 페닐기이고,Y는 -O- 또는 -NH-임. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 A는 하기에서 선택되는 것인, 리버서블 양자점 리간드:, , , , , 및 . |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 L은 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 및 데카닐렌기 중에서 선택되는 것인, 리버서블 양자점 리간드. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 리버서블 양자점 리간드는 하기에서 선택되는 화합물을 하나 이상 포함하는 것인, 리버서블 양자점 리간드:[화합물 1];[화합물 2] ;[화합물 3];[화합물 4]; 및[화합물 5]. |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 리버서블 양자점 리간드는 300 nm 내지 400 nm의 파장대의 광원 또는 100℃ 내지 300℃의 열원에 의하여 가교 반응이 수행되는 것인, 리버서블 양자점 리간드. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제 1 항에 따른 리버서블 양자점 리간드를 포함하는, 리버서블 양자점 잉크 조성물. |
| 8 | 제 7 항에 따른 리버서블 양자점 잉크 조성물을 가교하여 형성되는, 리버서블 양자점 박막. |
