제 14항에 있어서,상기 제1 쉘층 및 상기 제3 쉘층의 두께는 각각 상기 제2 쉘층보다 두꺼운 것인 발광 소자.

제 14항에 있어서,상기 제1 쉘층은 ZnSe, ZnS, ZnTe, GaP, GaSe, InSe, InS, AlP, AlSe, AlS 및 GaN 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.

제 14항에 있어서,상기 제1 쉘층 및 상기 제3 쉘층은 각각 ZnSe를 포함하는 발광 소자.

제 14항에 있어서,상기 코어는 InP, ZnP, GaP, ZnSe, ZnTe, 및 AlP 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.

코어 및 상기 코어를 순차적으로 감싸는 N개의 쉘층을 포함하고,상기 코어 및 상기 쉘층의 밴드갭은 하기 식 1의 관계를 만족하는 양자점:[식 1]BG0 003c# BGN 003c# BG2상기 식 1에서, BG0는 상기 코어의 밴드갭, BG2는 2번째 상기 쉘층의 밴드갭, BGN은 N번째 상기 쉘층의 밴드갭이며, N은 3 이상의 정수이다.

제 1항에 있어서,상기 N번째 쉘층의 밴드갭은 N-1번째 쉘층의 밴드갭보다 작은 것인 양자점.

제 1항에 있어서,상기 2번째 쉘층의 두께는 상기 N개의 쉘층의 두께 중 가장 얇은 것인 양자점.

제 1항에 있어서,상기 코어를 감싸는 제1 쉘층;상기 제1 쉘층을 감싸는 제2 쉘층; 및상기 제2 쉘층을 감싸는 제3 쉘층; 을 포함하는 양자점.

제 4항에 있어서,상기 제1 쉘층은 ZnSe, ZnS, ZnTe, GaP, GaSe, InSe, InS, AlP, AlSe, AlS 및 GaN 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.

제 4항에 있어서,상기 제1 쉘층 및 상기 제3 쉘층은 동일한 재료를 포함하는 양자점.

제 1항에 있어서,상기 코어는 InP, ZnP, GaP, ZnSe, ZnTe, 및 AlP 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.

코어;상기 코어를 감싸는 제1 쉘층;상기 제1 쉘층을 감싸는 제2 쉘층; 및상기 제2 쉘층을 감싸는 제3 쉘층; 을 포함하고,상기 제2 쉘층의 밴드갭은 상기 제1 쉘층의 밴드갭 및 상기 제3 쉘층의 밴드갭보다 크고,상기 제2 쉘층의 두께는 각각 상기 제1 쉘층의 두께 및 상기 제3 쉘층의 두께 보다 얇은 것인 양자점.

제 8항에 있어서,상기 제2 쉘층의 두께는 0.3 nm 이상 2 nm 이하인 양자점.

제 8항에 있어서,상기 제1 쉘층은 ZnSe, ZnS, ZnTe, GaP, GaSe, InSe, InS, AlP, AlSe, AlS 및 GaN 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.

제 8항에 있어서,상기 제1 쉘층 및 상기 제3 쉘층은 동일한 재료를 포함하는 양자점.

제 8항에 있어서,상기 코어는 InP, ZnP, GaP, ZnSe, ZnTe, 및 AlP 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.

제 8항에 있어서,상기 제3 쉘층을 감싸는 복수 개의 쉘들을 더 포함하고, 상기 복수 개의 쉘들은 각각 상기 제3 쉘층의 밴드갭보다 작은 밴드갭을 갖는 양자점.

서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 복수 개의 양자점들을 포함하는 발광층; 을 포함하고,상기 복수 개의 양자점들은 코어; 및 상기 코어를 감싸는 제 1 쉘층;상기 제1 쉘층을 감싸는 상기 제2 쉘층; 및상기 제2 쉘층을 감싸는 제3 쉘층; 을 각각 포함하는 제1 양자점 및 제2 양자점을 포함하고,이웃하는 상기 양자점들의 상기 코어 사이의 거리는 5 nm 이상 15 nm 이하인 발광 소자.

제 14항에 있어서,상기 제3 쉘층을 감싸는 복수 개의 쉘들을 더 포함하고, 상기 복수 개의 쉘들은 각각 상기 제3 쉘층의 밴드갭보다 작은 밴드갭을 갖는 발광 소자.

제 14항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 전자 수송 영역 및 정공 수송 영역을 더 포함하고,상기 전자 수송 영역의 전자 및 상기 정공 수송 영역의 정공 중 적어도 하나가 상기 제3 쉘층으로 이동하는 발광 소자.