| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 11 | 삭제 |
| 12 | 삭제 |
| 13 | 삭제 |
| 14 | 삭제 |
| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 형성은,1차적으로 p형 비산화물 반도체 물질층을 형성한 이후 2차적으로 p형 비산화물 반도체 물질층을 다시 형성함으로써 균일도를 향상시키는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법. |
| 7 | 삭제 |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 삭제 |
| 1 | n형 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 n형 반도체 기판의 전면 및 후면 중 어느 하나 이상을 텍스처링(texturing)하는 단계;텍스처링된 n형 반도체 기판 상에 p형 비산화물 반도체 물질층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 단계;상기 비산화물 반도체 물질층 상에 전이금속 산화막을 형성하는 단계; 및전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전이금속 산화막은 상기 비산화물 반도체 물질층 전부를 덮도록 형성되어 상기 전이금속 산화막이 상기 비산화물 반도체 물질층을 보호하며,상기 p형 비산화물 반도체 물질층은 CuI로 이루어지고, 상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 형성은 진공 증착법 또는 원자층 증착법을 이용한 코팅법 중 어느 하나를 이용하여 형성되며,상기 전이금속 산화막은 열증착법(thermal evaporation), 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 및 원자층 증착법(atomic layer deposition) 중 어느 하나를 이용하여 10nm 이하로 형성되는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 삭제 |
| 10 | 삭제 |
| 15 | 전면 및 후면 중 어느 하나 이상은 텍스처링되어 있는 n형 반도체 기판;상기 n형 반도체 기판 상에 형성되어 p-n 접합을 형성하는 p형 비산화물 반도체 물질층;상기 비산화물 반도체 물질층 상의 전이금속 산화막;상기 전이금속 산화막 상의 전면 전극; 및상기 전면 전극의 반대편에 배치된 후면 전극을 포함하고,상기 전이금속 산화막은 상기 비산화물 반도체 물질층 전부를 덮도록 형성되어 상기 전이금속 산화막이 상기 비산화물 반도체 물질층을 보호하며,상기 p형 비산화물 반도체 물질층은 CuI로 이루어지고, 상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 형성은 진공 증착법 또는 원자층 증착법을 이용한 코팅법 중 어느 하나를 이용하여 형성되며,상기 전이금속 산화막은 열증착법(thermal evaporation), 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 및 원자층 증착법(atomic layer deposition) 중 어느 하나를 이용하여 10nm 이하로 형성되는,이종접합 구조의 태양전지. |
| 16 | 삭제 |
| 17 | 삭제 |
| 18 | 삭제 |
| 19 | 제 15 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 두께는 20 내지 30nm인,이종접합 구조의 태양전지. |
| 20 | 삭제 |
| 21 | 삭제 |
| 22 | 삭제 |
| 23 | 삭제 |
