바이오 센서, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 이온 검출 방법
Bio sensor, method for manufacturing the same, and ion detection method using the same
특허 요약
본 발명은 채널층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 상에 인지질 이중층을 형성시키고, 인지질 이중층을 관통하는 단백체를 결합하여 특정 이온 또는 분자를 고감도의 전자 신호로 검출할 수 있는 바이오 센서, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 이온 검출 방법에 관한 것으로, 채널층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터, 상기 트랜지스터 상에 형성된 인지질 이중층 및 상기 인지질 이중층을 관통하는 하나 이상의 단백체를 포함하고, 상기 단백체는 특정 이온 또는 분자만을 선택적으로 투과시키는 것을 특징으로 한다.
청구항
번호청구항
1

이황화몰리브덴(MoS2)의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)층이 증착된 채널층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터;상기 트랜지스터 상에 형성된 인지질 이중층; 및상기 인지질 이중층을 관통하는 하나 이상의 단백체;를 포함하고,상기 단백체는 특정 이온 또는 분자만을 선택적으로 투과시키는 것인, 바이오 센서.

2

삭제

3

삭제

4

삭제

5

제1항에 있어서,상기 단백체는 α-helix, β-sheet 구조를 띄고 있는 그라미시딘(Gramicidin), 알라메티신(Alamethicin), 칼륨 채널(Potassium ion channel), 박테리오로돕신(Bacteriorhodopsin) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 바이오 센서.

6

제1항에 있어서,상기 이온은 H+, Na+, Ca2+, K+, Cl- 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하고,상기 분자는 도파민(Dopamine), 포도당(Glucose) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 바이오 센서.

7

이황화몰리브덴(MoS2)을 포함하는 채널층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 단계;상기 이황화몰리브덴(MoS2)의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)층을 증착하는 단계;인지질을 사용하여 소포체를 제조하는 단계;상기 소포체에 하나 이상의 단백체를 포함시키는 단계; 및단백체를 포함하는 소포체를 상기 트랜지스터 상에 배양하여 인지질 이중층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 단백체는 인지질 이중층을 관통하도록 형성되는 것인, 바이오 센서 제조 방법.

8

삭제

9

삭제

10

삭제

11

제7항에 있어서,상기 트랜지스터를 제조하는 단계는 포토 리쏘그래피 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, 바이오 센서 제조 방법.

12

제7항에 있어서,상기 단백체는 α-helix, β-sheet 구조를 띄고 있는 그라미시딘(Gramicidin), 알라메티신(Alamethicin), 칼륨 채널(Potassium ion channel), 박테리오로돕신(Bacteriorhodopsin) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하고,특정 이온 또는 분자만을 선택적으로 투과시키는 것을 특징으로 하는, 바이오 센서 제조 방법.

13

제1항, 제5항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 바이오 센서에 이온 함유 용액을 접촉시키는 단계; 및상기 바이오 센서의 전기 전도도 변화를 관찰하는 단계;를 포함하는, 이온 검출 방법.