베이스 기재 상에 배치되고 압전 특성과 반도체 특성을 동시에 갖는 압전 반도체 물질로 형성된 압전 효과 채널;상기 베이스 기재 상에서 상기 압전 효과 채널과 전기적으로 연결되도록 상기 압전 효과 채널 양단에 각각 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 전극과 이격되게 배치되며 도전성 그래핀으로 형성된 제1 그래핀 전극을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는 소스 전극이고, 다른 하나는 드레인 전극이며,상기 압전 효과 채널은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 전류 흐름을 제어하는 전류 채널로 기능하는, 스트레인 게이지.

제1항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 압전 효과 채널과 직접 연결되는,스트레인 게이지.

제1항에 있어서,상기 압전 효과 채널 및 상기 제2 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제1 전극 및 상기 제1 그래핀 전극과 이격되게 배치된 제2 그래핀 전극을 더 포함하는,스트레인 게이지.

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제1항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 이황화몰리브덴(Molybdenum disulfide, MoS2)을 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

제1항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 II-VI족 간 화합물 반도체 및 III-V족 간 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

제1항에 있어서,상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 그래핀 전극 중 적어도 하나는 도펀트로 도핑된 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

제1항에 있어서,상기 스트레인 게이지는 외력이 가해지는 경우, 상기 제1 그래핀 전극 및 상기 압전 효과 채널 사이의 쇼트키 장벽이 변화하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

베이스 기재 상에 배치되고 압전 특성과 반도체 특성을 동시에 갖는 압전 반도체 물질로 형성된 압전 효과 채널;상기 베이스 기재 상에서 상기 압전 효과 채널과 전기적으로 연결되도록 상기 압전 효과 채널 양단에 각각 배치된 제1 전극과 제2 전극;상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 전극과 이격되게 배치되며 도전성 그래핀으로 형성된 제1 그래핀 전극;상기 압전 효과 채널 상부에서 상기 압전 효과 채널과 상기 제1 그래핀 전극의 접촉부와 중첩하도록 배치된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 압전 효과 채널 사이에 게재되도록 상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 그래핀 전극 상에 배치된 유전막을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는 소스 전극이고, 다른 하나는 드레인 전극이며,상기 압전 효과 채널은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 전류 흐름을 제어하는 전류 채널로 기능하는,스트레인 게이지.

제9항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 압전 효과 채널과 직접 연결되는,스트레인 게이지.

제9항에 있어서,상기 압전 효과 채널 및 상기 제2 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제1 전극 및 상기 제1 그래핀 전극과 이격되게 배치된 제2 그래핀 전극을 더 포함하는,스트레인 게이지.

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제9항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 이황화몰리브덴(Molybdenum disulfide, MoS2)을 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

제9항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 II-VI족 간 화합물 반도체 및 III-V족 간 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

제9항에 있어서,상기 스트레인 게이지는 외력이 가해지는 경우, 상기 제1 그래핀 전극 및 상기 압전 효과 채널 사이의 쇼트키 장벽이 변화하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지.

제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제11항 그리고 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 스트레인 게이지를 포함하는,스트레인 센서.