| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 이종(異種)의 제1 금속들을 각각 포함하는 염화 금속물들을 준비하는 단계; 상기 염화 금속물들을 제1 용액에 해리시켜 상기 이종의 제1 금속들로 이루어진 금속 이온이 해리되어 있고, 염소 이온을 포함하는 금속 전해액을 준비하는 단계; 및상기 제1 금속들보다 높은 환원력을 갖는 제2 금속을 상기 금속 전해액에 침지시켜 제1 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 합금 분말을 추출하는 단계를 포함하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
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| 4 | 이종(異種)의 제1 금속들을 준비하고, 상기 제1 금속들을 염소 이온이 해리된 제2 용액에 해리시켜 이종의 상기 제1 금속들로 이루어진 금속 이온이 해리된 금속 전해액을 준비하는 단계; 및 상기 제1 금속들보다 높은 환원력을 갖는 제2 금속을 상기 금속 전해액에 침지시켜 제1 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 합금 분말을 추출하는 단계를 포함하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 5 | 제4항에 있어서, 상기 제2 용액은 염화나트륨, 염화암모늄, 염산 또는 이들의 혼합물을 순수에 해리시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 6 | 제1항에 있어서, 상기 합금 분말에서 상기 제1 금속들 중 적어도 하나를 제거하는 단계를 더 포함하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 7 | 제6항에 있어서, 상기 금속 전해액은 강산을 포함하고, 상기 합금 분말에서 상기 제1 금속들 중 어느 하나를 제거하는 단계는 상기 강산과 상기 제1 금속들 중 어느 하나와 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 8 | 제6항에 있어서, 상기 합금 분말을 건조하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 금속들 중 어느 하나를 제거하는 단계는 상기 건조된 합금 분말을 강산에 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 9 | 제6항에 있어서, 상기 합금 분말을 건조하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 금속들 중 어느 하나를 제거하는 단계는 상기 건조된 합금 분말을 전기화학공정으로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 10 | 제1항에 있어서, 상기 금속 전해액에 상기 합금 분말의 구조 및 방향성, 표면개질을 위한 첨가제를 혼합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 11 | 제10항에 있어서, 상기 첨가제는, 폴리옥소메탈레이트(polyoxometalates; POM), 바나딜 설페이트(Vanadyl Surfate; VOSO4), 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone), 아세트산(Acetic acid), 브롬화 헥사데킬트리메틸 암모늄(hexadecyltrimethyl ammonium bromide; CTAB), 염화폴리디알릴디메틸암모늄 (Polydiallyldimethylammonium chloride; PDDA), 도데실황산나트륨(sodium dodecyl sulfate; SDS) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 12 | 제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 알루미늄을 포함할 경우, 상기 이종의 제1 금속들은 구리, 아연, 티타늄, 니켈, 납, 주석, 망간, 코발트, 루테늄, 바나듐, 금, 은 및 백금 중 적어도 두 가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 13 | 제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 박막 또는 분말 형태로 상기 금속 전해액에 침지되는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 14 | 제1항에 있어서, 상기 제1 금속들보다 낮은 환원력을 갖는 제3 금속이 해리된 제3 용액을 준비하는 단계; 및상기 합금 분말을 상기 제3 용액에 침지시켜, 상기 제3 금속 및 상기 제1 금속들 간에 제2 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 합금 분말을 상기 제3 금속으로 감싸는 코어셀 금속 물질을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 15 | 제1항에 있어서, 상기 합금 분말의 표면에 금속 산화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 16 | 제15항에 있어서, 상기 금속 산화층을 형성하는 단계는 상기 합금 분말을 산소 분위기에 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 17 | 제15항에 있어서, 상기 금속 산화층을 형성하는 단계는 상기 합금 분말에 대하여 플라즈마 상태의 산소 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법. |
| 18 | 제1항에 있어서, 상기 합금 분말은 덴드라이트형, 돌기형, 튜브형, 입자뭉침형, 바늘형 또는 이들의 혼합 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 덴드라이트형 금속 분말의 형성 방법. |