내부에 중공부를 형성하며, 하면을 형성하는 챔버 바텀, 상기 챔버 바텀에서 위로 연장된 챔버 월 및 상면을 형성하며 상기 챔버 월에 결합되는 챔버 탑을 포함하는, 챔버; 상기 중공부에 위치하고 상기 챔버 바텀에 인접하며 상기 챔버 탑을 마주하는 스탠드;상기 챔버의 상단부에 인접하여 배치되는 플라즈마 생성부; 그리고 상기 챔버 바텀의 위에 위치하며 상기 챔버 월의 내측면에서 돌출되되 상기 챔버 바텀의 둘레를 따라 배치되는 복수의 양극점 유닛을 포함하고, 상기 복수의 양극점 유닛 각각은, 상기 챔버 월의 상기 내측면에서 돌출되는 서포트; 그리고 상기 서포트에 결합되는 아노드를 포함하며, 상기 서포트는 상기 아노드와 상기 챔버를 전기적으로 분리하는, 기판 공정 디바이스.

제1항에 있어서, 상기 아노드의 전위는 상기 챔버의 전위 보다 높은, 기판 공정 디바이스.

제2항에 있어서, 상기 챔버는 접지되고, 상기 아노드의 전위는 양(positive)인, 기판 공정 디바이스.

제1항에 있어서, 상기 복수의 양극점 유닛의 상기 아노드는, 상기 스탠드의 둘레를 따라 배치되는, 기판 공정 디바이스.

제4항에 있어서, 상기 플라즈마 생성부는, 상기 챔버 탑의 상면에 배치되는 적어도 하나의 안테나를 포함하는, 기판 공정 디바이스.

제1항에 있어서, 상기 복수의 양극점 유닛의 일부는 제1 양극점 레이어를 형성하고, 상기 복수의 양극점 유닛의 다른 일부는 제2 양극점 레이어를 형성하며, 상기 챔버 바텀과 상기 제1 양극점 레이어 사이의 거리는, 상기 챔버 바텀과 상기 제2 양극점 레이어 사이의 거리 보다 큰, 기판 공정 디바이스.

제6항에 있어서, 상기 제1 양극점 레이어를 형성하는 복수의 양극점 유닛 및 상기 제2 양극점 레이어를 형성하는 복수의 양극점 유닛은, 상기 챔버 바텀의 둘레를 따라 교번으로 배치되는,기판 공정 디바이스.

제1항에 있어서, 상기 아노드는 상기 챔버의 축(axis)을 마주하는, 기판 공정 디바이스.

제8항에 있어서, 상기 복수의 양극점 유닛은 상기 축을 기준으로 방위각 방향으로 배치되는, 기판 공정 디바이스.

제1항에 있어서, 상기 챔버 월의 외측면을 마주하며 상기 챔버 바텀의 상기 둘레를 따라 배치되며 자속(magnetic flux)을 형성하는 복수의 필터 마그넷을 더 포함하는, 기판 공정 디바이스.

제10항에 있어서, 상기 복수의 필터 마그넷 각각은, 상기 자속을 방사하는 아웃렛 폴; 그리고 상기 자속이 입사되는 인렛 폴을 포함하는, 기판 공정 디바이스.

제11항에 있어서, 상기 복수의 필터 마그넷 각각은, 상기 인렛 폴이 상기 챔버 월의 상기 외측면을 마주하며, 상기 인렛 폴이 상기 챔버와 상기 아웃렛 폴의 사이에 위치하는, 인렛 마그넷; 및 상기 아웃렛 폴이 상기 챔버 월의 상기 외측면을 마주하며, 상기 아웃렛 폴이 상기 챔버와 상기 인렛 폴의 사이에 위치하는, 아웃렛 마그넷 중 하나인, 기판 공정 디바이스.

제12항에 있어서, 상기 복수의 인렛 마그넷 및 상기 복수의 아웃렛 마그넷은, 상기 챔버 바텀의 상기 둘레를 따라 교번으로 배치되는, 기판 공정 디바이스.

제10항에 있어서, 상기 복수의 필터 마그넷은, 상기 챔버 월의 상기 내측면에 마그네틱 커스프(magnetic cusp)를 형성하는, 기판 공정 디바이스.