금속 배선층 상부에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극과 이격되며 평행하게 배치된 제2 전극;상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되고 수평으로 움직여 상기 제1 전극 또는 제2 전극에 접촉하는 가동성 빔; 및상기 가동성 빔 일측 하단과 연결된 하부 비아 앵커 및 상기 가동성 빔 일측 상단과 연결되고 상기 하부 비아 앵커와 수직선상에 배치된 상부 비아 앵커를 포함하여 상기 가동성 빔을 지지하는 비아 앵커를 포함하고,상기 비아 앵커는상기 가동성 빔의 이동 방향을 따라 일정 각도 비틀림 회전하여 상기 가동성 빔에 집중되는 힘을 상기 상부 비아 앵커 및 상기 하부 비아 앵커에 분배되도록 하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

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제1항에 있어서, 상기 하부 비아 앵커는반도체 구조물의 하부에 정의된 제1 비아 앵커 영역에 형성되고 제1 절연막으로 형성된 하부 비아 앵커 지지체에 도전물질을 매립하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

제3항에 있어서, 상기 상부 비아 앵커는상기 반도체 구조물의 상부에 정의된 제2 비아 앵커 영역에 형성되고 제2 절연막으로 형성된 상부 비아 앵커 지지체에 도전물질을 매립하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

제1항에 있어서, 상기 가동성 빔은 상기 제1 전극 또는 제2 전극에 양의 전압이 인가되면 상기 전극 간에 가해지는 전자기력에 의해 상기 제1 전극 또는 제2 전극 방향으로 이동하여 해당 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

제5항에 있어서, 상기 비아 앵커는 상기 가동성 빔이 상기 제1 전극 또는 제2 전극 방향으로 이동하는 풀 인(pull-in) 동작 시 해당 방향으로 일정 각도 회전하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

제1항에 있어서, 상기 비아 앵커는회전(torsion) 가능하고 상기 회전을 통해 상기 가동성 빔의 수평적 이동을 지원하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

제7항에 있어서, 상기 가동성 빔의 동작 시 상기 가동성 빔에 발생하는 변형이 상기 비아 앵커에 상기 회전(torsion)으로 분배되는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

제1항에 있어서, 상기 비아 앵커의 구조를 스프링 모델로 치환 시, 상기 가동성 빔의 선형 스프링 상수(Kbeam) 및 상기 비아 앵커의 비틀림 경도(torsional stiffness)로부터 유도된 스프링 상수(Kvia')의 직렬 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자.

반도체 구조물 상부에 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막을 식각하고 도전물질을 매립하여 하부 비아 앵커 및 가동성 빔을 형성하는 단계;전체 상부에 제2 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제2 절연막을 식각하고 도전물질을 매립하여 상부 비아 앵커를 형성하고, 상기 하부 비아 앵커와 수직선상에 상부 비아 앵커 영역을 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부 비아 앵커와 상기 상부 비아 앵커는상기 가동성 빔의 일측 하단 및 상단에 각각 형성되며 상기 가동성 빔의 움직임과 동시에 토션(torsion)이 적용되는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

제10항에 있어서, 상기 하부 비아 앵커 및 가동성 빔을 형성하는 단계는 상기 제1 절연막을 식각하여 상기 반도체 구조물에 포함되는 하부 금속 배선이 노출되도록 하부 비아 앵커 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 하부 비아 앵커 및 가동성 빔을 형성하는 단계는 상기 제1 절연막을 식각하여 상기 하부 비아 앵커 영역의 상부에서 상기 하부 금속 배선과 동일한 방향으로 연장된 형태의 가동성 빔 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

제12항에 있어서, 상기 하부 비아 앵커 및 가동성 빔을 형성하는 단계는상기 하부 비아 앵커 영역 및 상기 가동성 빔 영역에 도전물질을 매립하고 평탄화 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

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제10항에 있어서, 상기 상부 비아 앵커를 형성하는 단계는상기 제2 절연막을 식각하여 상기 상부 비아 앵커 영역의 상부에 상부 금속 배선 영역을 형성하고 상기 상부 비아 앵커 영역 및 상기 상부 금속 배선 영역에 도전물질을 매립하고 평탄화 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

제10항에 있어서, 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 식각하여 상기 하부 비아 앵커의 측면 및 상기 가동성 빔의 상단을 노출시켜 상기 가동성 빔 주변에 에어 갭을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

반도체 구조물 상부에 하부 금속 배선을 형성하고, 상기 하부 금속 배선을 포함하는 전체 상부에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막을 식각하여 제1 비아 앵커 영역 및 가동성 빔 영역을 형성하는 단계;상기 제1 비아 앵커 영역 및 가동성 빔 영역에 도전물질을 매립하여 하부 비아 앵커 및 가동성 빔을 형성하는 단계; 전체 상부에 제2 절연막을 형성하고, 상기 제2 절연막을 식각하여 제2 비아 앵커 영역 및 상부 금속 배선 영역을 형성하는 단계;상기 제2 비아 앵커 영역 및 상부 금속 배선 영역에 도전물질을 매립하여 상부 비아 앵커 및 상부 금속 배선을 형성하는 단계; 및상기 가동성 빔과 인접한 제1 절연막 및 제2 절연막을 식각하여 상기 가동성 빔 주변에 일정 간격의 에어 갭을 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부 비아 앵커 및 상부 비아 앵커는상기 가동성 빔의 일측과 접촉되도록 수직선상에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

제17항에 있어서, 상기 반도체 구조물은복수의 금속 배선들을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 전기기계 소자의 제조 방법.

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