내부에 중공부를 형성하고 상하 방향으로 연장된 챔버 바디 및 상기 챔버 바디의 전면(front face)에 형성된 슬릿으로서 챔버 슬릿을 포함하는, 플라즈마 챔버;상기 챔버 바디의 앞에 위치하는 내측 가속 전극; 상기 챔버 바디를 사이에 두고 상기 챔버 바디를 마주하며 자속을 형성하는 상측 메인 자속 모듈 및 하측 메인 자속 모듈; 그리고자속을 형성하며, 상기 상측 메인 자속 모듈의 앞에 위치하는 상측 서브 자속 모듈 및 상기 하측 메인 자속 모듈의 앞에 위치하는 하측 서브 자속 모듈을 포함하고, 상기 상측 메인 자속 모듈, 상기 하측 메인 자속 모듈, 상기 상측 서브 자속 모듈, 그리고 상기 하측 서브 자속 모듈 각각은,강자성체 및 준강자성체 중 적어도 하나를 포함하는 소재로 형성되는 코어 및 상기 코어를 감싸는 코일을 포함하며, 상기 내측 가속 전극은, 상기 상측 메인 자속 모듈의 상기 코어 및 상기 하측 메인 자속 모듈의 상기 코어 보다 앞에 위치하고, 상기 상측 서브 자속 모듈의 상기 코어 및 상기 하측 서브 자속 모듈의 상기 코어 보다 뒤에 위치하는,이온빔 디바이스.

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제1항에 있어서,상기 상측 메인 자속 모듈은 상기 챔버 바디의 위에 위치하며, 상기 하측 메인 자속 모듈은 상기 챔버 바디의 아래에 위치하고, 상기 코어는,상하 방향으로 연장된 형상을 가지는,이온빔 디바이스.

제1항에 있어서,상기 상측 메인 자속 모듈, 상기 하측 메인 자속 모듈, 상기 상측 서브 자속 모듈, 그리고 상기 하측 서브 자속 모듈 중 적어도 하나의 위치를 변경하는 무버를 더 포함하는,이온빔 디바이스.

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제1항에 있어서,상기 내측 가속 전극의 앞에 위치하는 외측 가속 전극을 더 포함하고,상기 외측 가속 전극의 전위는 상기 내측 가속 전극의 전위와 다른,이온빔 디바이스.

제8항에 있어서,상기 내측 가속 전극은,전면(front face)이 상기 외측 가속 전극을 마주하고 후면(rear face)이 상기 챔버 바디를 마주하는, 내측 가속 전극 바디; 그리고상기 내측 가속 전극 바디에 형성된 슬릿으로서, 상기 내측 가속 전극 바디의 상기 전면 및 상기 후면에 연결되며 상기 챔버 슬릿과 나란한, 내측 가속 전극 슬릿을 포함하는,이온빔 디바이스.

제9항에 있어서,상기 외측 가속 전극은,후면이 상기 내측 가속 전극을 마주하고 전면이 전방을 향하는, 외측 가속 전극 바디; 그리고상기 외측 가속 전극 바디에 형성된 슬릿으로서, 상기 외측 가속 전극 바디의 전면 및 후면에 연결되며 상기 내측 가속 전극 슬릿과 나란한, 외측 가속 전극 슬릿을 포함하는,이온빔 디바이스.

제1항에 있어서, 상기 상측 메인 자속 모듈은 상기 챔버 바디의 위에 위치하며, 상기 하측 메인 자속 모듈은 상기 챔버 바디의 아래에 위치하고,상기 챔버 슬릿은 상하 방향으로 연장된,이온빔 디바이스.