하단에서 위로 연장되어 상단에 이어지고, 내부에 중공부를 형성하는, 하우징;상기 하우징의 상기 상단에 연결되는 제1 바디 및 상기 제1 바디에 형성된 홀(hole)로서 상기 하우징의 상기 중공부에 연통되는 인출 홀을 포함하는, 제1 음극부;상기 하우징의 상기 하단에 연결되는 제2 바디를 포함하는 제2 음극부;상기 하우징의 상기 중공부에 위치하고, 상기 제1 음극부와 상기 제2 음극부의 사이에 위치하는, 양극부; 그리고상기 하우징의 상기 중공부에 자속을 형성하며 내측면이 상기 양극부를 마주하고 외측면이 상기 하우징을 마주하는 미들 마그넷을 포함하는,플라즈마 디바이스.

제1항에 있어서,상기 하우징의 상기 중공부에 형성되는 상기 자속의 일부는,상기 양극부의 내부를 통과하되 상기 양극부와 만나지 않는,플라즈마 디바이스.

제1항에 있어서,상기 양극부의 전위(electric potential)는,상기 제1 음극부의 전위 및 상기 제2 음극부의 전위 보다 높은,플라즈마 디바이스.

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제1항에 있어서,상기 제1 음극부에 인접한 제1 마그넷 및 상기 제2 음극부에 인접한 제2 마그넷을 더 포함하는,플라즈마 디바이스.

제7항에 있어서,상기 제1 마그넷은 상기 미들 마그넷의 위에 위치하고,상기 제2 마그넷은 상기 미들 마그넷의 아래에 위치하는,플라즈마 디바이스.

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제8항에 있어서,상기 제1 마그넷, 상기 제2 마그넷, 그리고 상기 미들 마그넷은, 상기 하우징의 내부에 위치하고,상기 제1 마그넷의 하면은 상기 미들 마그넷의 상면을 마주하며,상기 제2 마그넷의 상면은 상기 미들 마그넷의 하면을 마주하고,상기 제1 음극부의 하면은 상기 양극부의 상단을 마주하며, 상기 제2 음극부의 상면은 상기 양극부의 하단을 마주하는,플라즈마 디바이스.

제11항에 있어서,상기 제1 음극부는, 상기 제1 바디에서 아래로 돌출된 제1 넥을 더 포함하고,상기 제1 바디는,상기 제1 넥과 단차를 형성하며 상기 미들 마그넷을 마주하는 제1 숄더 면을 형성하는,플라즈마 디바이스.

제12항에 있어서,상기 제1 마그넷은,상기 제1 숄더 면에 위치하고 상기 미들 마그넷을 마주하는,플라즈마 디바이스.

제13항에 있어서,상기 제2 음극부는,상기 제2 바디에서 위로 돌출된 제2 넥을 더 포함하고,상기 제2 바디는,상기 제2 넥과 단차를 형성하며 상기 미들 마그넷을 마주하는 제2 숄더 면을 형성하는,플라즈마 디바이스.

제14항에 있어서,상기 제2 마그넷은,상기 제2 숄더 면에 위치하고 상기 미들 마그넷을 마주하는,플라즈마 디바이스.

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