| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 비정질 합금층; 을 포함하되,상기 비정질 합금층은 60원자% 내지 70원자%의 Mg, 20원자% 내지 30원자%의 Zn, 및 3원자% 내지 10원자%의 Ca의 조성비를 갖는, 비정질 금속전극. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 비정질 합금층은 박막 형태로 마련되는, 비정질 금속전극. |
| 3 | 제 1 항에 따른 비정질 금속전극; 을 포함하는,전자소자. |
| 4 | 제 3 항에 있어서,인덕터 소자, 캐패시터 소자, 다이오드 소자 및 트랜지스터 소자 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 전자소자. |
| 5 | 제 3 항에 있어서,저항소자를 포함하는, 전자소자. |
| 6 | 제 3 항에 있어서,발전소자를 포함하는, 전자소자. |
| 7 | 제 3 항에 있어서,상기 비정질 금속전극은 구부러진(serpentine) 형태를 가지면서, 상기 구부러진 형태로 패턴화된 고분자층 상에 마련되는,전자소자. |
| 8 | 제 7 항에 있어서,상기 비정질 금속전극에 의해 이웃한 것과 전기적으로 연결되도록 마련된,전자소자. |
| 9 | 제 3 항에 있어서,인체 내에서 생체용액으로 생분해 가능한 것인,전자소자. |
| 10 | 기판 상에 Mg, Zn 및 Ca을 공동 증착(Co-sputtering)하여 비정질 합금층을 제조하는 단계; 를 포함하되,상기 비정질 합금층은 60원자% 내지 70원자%의 Mg, 20원자% 내지 30원자%의 Zn 및 3원자% 내지 10원자%의 Ca의 조성비를 갖는,비정질 금속전극 제조방법. |
| 11 | 제 10 항에 있어서,상기 비정질 합금층의 조성비는 Mg, Zn 및 Ca 각각의 타겟에 각기 별도로 공급되는 스퍼터링 파워(sputtering power)에 의해 조절되는,비정질 금속전극 제조방법. |
