서로 마주보는 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, 양자점을 포함하는 발광층; 및상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하고, 금속 산화물 박막을 포함하는 전자 수송층을 포함하고,상기 금속 산화물 박막은 하기 화학식 1 또는 화학식 2 의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자.화학식 1[(1-x)(In2O3)-xZnO]-ySiO2 상기 화학식 1에서 0003c#x003c#1 이고, 0.03≤y003c#0.29이다.화학식 2[(1-x)(In2O3)-xSnO2]-ySiO2 상기 화학식 2에서 0003c#x003c#1 이고, 0.14≤y003c#0.54이다.

제1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은 스퍼터링(sputtering) 공법을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.

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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하고,상기 전자 수송층은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 조성을 가지도록 형성되는 발광소자 제조 방법.화학식 1[(1-x)(In2O3)-xZnO]-ySiO2 상기 화학식 1에서 0003c#x003c#1 이고, 0.03≤y003c#0.29이다.화학식 2[(1-x)(In2O3)-xSnO2]-ySiO2 상기 화학식 2에서 0003c#x003c#1 이고, 0.14≤y003c#0.54이다.

제7항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층을 형성하는 단계는 스퍼터링 공법을 통한 연속 증착 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법.

제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는,In-Zn-O 타겟 및 SiO2 타겟을 이용한 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법.

제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는,In-Sn-O 타겟 및 SiO2 타겟을 이용한 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법.

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제7항에 있어서,In-Zn-Si-O 타겟 및 In-Sn-Si-O 타겟으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 타겟을 이용한 단일타겟 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법.

제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계에서는, 스퍼터링 공법을 통해 SiO2의 조성비를 조절하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법.