그래핀 구조, 그 제조 방법 및 그래핀 구조를 이용한 투명 전극
Graphene structure, method of the same and transparent electrode using the graphene structure
특허 요약
비정질 탄소막을 이용한 그래핀 제조 방법 및 그에 의해 제조된 그래핀을 이용한 태양 전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 제조 방법은, 기판 상에 비정질 탄소막을 형성하는 단계; 상기 비정질 탄소막 상에 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 탄소막이 결정화되어 상기 그래파이트화 촉매막 상에 그래핀막이 형성되도록, 상기 비정질 탄소막 및 상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 포함한다.
청구항
번호청구항
4

제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막 및 상기 그래핀막의 적층 구조물은 10 Ω/□ 내지 50 Ω/□ 범위의 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

5

제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막은 가열에 의해 비정질 탄소를 결정화시킬 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

1

기판 상에 비정질 탄소막을 형성하는 단계;상기 비정질 탄소막 상에 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및상기 비정질 탄소막이 결정화되어 상기 그래파이트화 촉매막 상에 그래핀막이 형성되도록, 상기 비정질 탄소막 및 상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 열처리하는 단계에 의하여, 상기 그래파이트화 촉매막이 응집(agglomeration)되어 그래파이트화 촉매 파티클이 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

2

삭제

3

제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막 및 상기 그래핀막의 적층 구조물은 80 % 이상의 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

6

제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pt) 및 로듐(Rh)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

7

제1 항에 있어서,상기 비정질 탄소막을 형성하는 단계 이전에,상기 기판 상에 상기 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

8

제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이후에,상기 기판을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

9

제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이후에,상기 그래파이트 촉매막을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법.

10

삭제

11

제1 항, 및 제3 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 상기 그래파이트화 촉매 파티클 및 상기 그래핀막을 포함하는 그래핀 구조.

12

제1 항, 및 제3 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 상기 그래파이트화 촉매 파티클 및 상기 그래핀막을 포함하는 투명 전극.