제10항에 있어서, 상기 무기물이 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제10항에 있어서, 상기 고분자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

무기물 또는 고분자 코어 입자; 및 상기 코어 입자의 표면에 결합된 복수의 양자점 나노입자를 포함하고, 상기 코어 입자의 직경이 50 nm 내지 1,000 μm이고 상기 양자점 나노입자의 직경은 1 nm 내지 20 nm인, 양자점 함유 입자.

제1항에 있어서, 상기 무기물 코어 입자가 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제1항에 있어서, 상기 고분자 코어 입자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제1항에 있어서, 상기 코어 입자와 상기 양자점 나노입자가 공유결합, 이온결합 및 물리적 흡착으로 이루어진 군에서 선택되는 결합에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제4항에 있어서, 상기 공유결합이, 한쪽에 상기 양자점 나노입자와 결합하는 황, 질소 또는 인 중 어느 하나의 원자를 포함하고 다른 한쪽에 상기 코어 입자와 결합하는 작용기에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제5항에 있어서, 상기 작용기가 실란기, 아미노기, 설폰기, 카르복시기 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

삭제

제1항에 있어서, 상기 양자점 나노입자가, II-VI족 계열의 반도체, III-V족 계열의 반도체 및 IV-IV족 계열의 반도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 단일 코어 구조이거나, 상기 단일 코어 구조에 II-VI족 계열의 반도체가 캡핑된 코어/쉘 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

삭제

제1항에 있어서, 상기 양자점 함유 입자를 피복하는 무기물 또는 고분자 껍질을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제10항에 있어서, 상기 양자점 함유 입자와, 상기 무기물 또는 고분자 껍질이 공유결합, 이온결합 및 물리적 흡착으로 이루어진 군에서 선택되는 결합에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

제13항에 있어서, 상기 공유결합이, 한쪽에 상기 양자점 나노입자와 결합하는 황, 질소 또는 인 중 어느 하나의 원자를 포함하고 다른 한쪽에 상기 코어 입자 또는 상기 무기물 또는 고분자 껍질과 결합하는 작용기에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자.

공유결합, 이온결합 또는 물리적 흡착을 통하여 친수성 유기용매 내에서 직경이 50 nm 내지 1,000 μm인 코어 입자에, 직경이 1 nm 내지 20 nm인 복수의 양자점 나노입자를 결합시키는 단계를 포함하는, 양자점 함유 입자 제조 방법.

제15항에 있어서, 공유결합, 이온결합 또는 물리적 흡착을 통하여 상기 양자점 나노입자가 결합된 코어 입자를 무기물 또는 고분자로 피복하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

제15항에 있어서, 상기 코어 입자가 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

제15항에 있어서, 상기 코어 입자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

삭제

제15항에 있어서, 상기 양자점 나노입자가, II-VI족 계열의 반도체, III-V족 계열의 반도체 및 IV-IV족 계열의 반도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 단일 코어 구조이거나, 상기 단일 코어 구조에 II-VI족 계열의 반도체가 캡핑된 코어/쉘 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

삭제

제15항에 있어서, 상기 공유결합을 통하여 친수성 유기용매 내에서 코어 입자에 복수의 양자점 나노입자를 결합시키는 단계가,(i) 한쪽에 포스핀기, 아민기 및 티올기로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기를 포함하고 다른 한쪽에 친수성 치환기를 포함하는 반응성 화합물과 코어 입자를 친수성 유기용매 내에서 반응시켜 상기 코어 입자의 표면을 개질하는 단계; 및(ii) 상기 친수성 유기용매에 양자점 나노입자를 첨가하여 상기 코어 입자의 표면에 복수의 양자점 나노입자를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,양자점 함유 입자 제조 방법.

제16항에 있어서, 상기 공유결합을 통하여 상기 양자점 나노입자가 결합된 코어 입자를 무기물 또는 고분자 껍질로 피복하는 단계가,상기 양자점 나노입자가 결합된 코어 입자를, 한쪽에 포스핀기, 아민기 및 티올기로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기를 포함하고 다른 한쪽에 친수성 치환기를 포함하는 반응성 화합물과 반응시켜 표면을 개질하는 단계; 및상기 개질된 표면에 무기물 또는 고분자를 반응시켜 껍질을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,양자점 함유 입자 제조 방법.

제22항에 있어서, 상기 친수성 치환기가 실란기, 아미노기, 설폰기, 카르복시기, 이소시안기, 아지드기, 카벤기 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

제22항에 있어서, 상기 친수성 치환기가 실란기인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

제23항에 있어서, 상기 껍질을 형성시키는 단계가 테트라에톡시실란 용액을 첨가하여 실리카 껍질을 형성하는 것임을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

제16항 또는 제23항에 있어서, 상기 무기물이 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.

제16항 또는 제23항에 있어서, 상기 고분자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법.