제28항에 있어서, 상기 도전성 페이스트는 은 페이스트인, 방법.

제28항에 있어서, 상기 나노튜브로부터 상기 제2 기판을 제거하는 단계는 상기 도전성 페이스트를 제거하는 단계 를 포함하는, 방법.

나노 구조물로서, 제1 말단과 제2 말단을 갖는 나노튜브; 및 제1 나노 캡 을 포함하며, 상기 제1 나노 캡은 상기 나노튜브의 상기 제1 말단에 위치되는, 나노 구조물.

제1항에 있어서, 상기 나노튜브는 탄소 나노튜브를 포함하는, 나노 구조물.

제1항에 있어서, 제2 나노 캡 을 더 포함하며, 상기 제2 나노 캡은 상기 나노튜브의 상기 제2 말단에 위치되는, 나노 구조물.

제1항에 있어서, 상기 제1 나노 캡은 금속을 포함하는, 나노 구조물.

제4항에 있어서, 상기 금속은 귀금속 및 마그네틱 금속 중 어느 하나를 포함하는, 나노 구조물.

제1항에 있어서, 적어도 하나의 나노입자 를 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 나노입자는 상기 나노튜브 내에 위치되는, 나노 구조물.

제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노입자는 C60 나노입자 및 금속 나노입자 중 어느 하나를 포함하는, 나노 구조물.

나노튜브와 전극을 커플링하는 방법으로서, 적어도 하나의 금속 캡을 포함하는 나노튜브를 전극에 대해 위치시키는 단계; 및 상기 전극과 상기 적어도 하나의 금속 캡을 커플링하는 단계 를 포함하는, 방법.

제8항에 있어서, 상기 커플링하는 단계는 상기 전극에 상기 적어도 하나의 금속 캡을 용접하는 단계 를 포함하는, 방법.

제9항에 있어서, 상기 용접하는 단계는 어닐링 공정을 행하는 단계 를 포함하는, 방법.

제9항에 있어서, 상기 용접하는 단계는 전자총 조사를 행하는 단계 를 포함하는, 방법.

제8항에 있어서, 상기 위치시키는 단계는 상기 탄소 나노튜브에 대해 전자기력을 인가하는 단계 를 포함하는, 방법.

제1 전극; 및 제1 캡을 갖는 나노튜브 를 포함하며, 상기 제1 캡이 상기 제1 전극과 커플링되는, 장치.

제13항에 있어서, 상기 장치는 바이오/화학 센서 및 메모리 장치 중 어느 하나인, 장치.

제13항에 있어서, 제2 전극 을 더 포함하며, 상기 나노튜브는 상기 제2 전극과 커플링된 제2 캡을 더 가지는, 장치.

나노 구조물을 생성하는 방법으로서, 기판에 나노튜브를 성장시키는 단계; 상기 나노튜브를 절연 물질로 절연하는 단계; 상기 절연 물질의 제1 면을 제거하여, 상기 나노튜브의 제1 부분을 노출시키는 단계; 상기 나노튜브의 상기 제1 부분에 캡을 부가하는 단계; 및 상기 나노튜브로부터 상기 기판을 제거하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 성장시키는 단계는 상기 나노튜브에 나노입자를 삽입하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 절연하는 단계는 스핀-온-글라스의 스핀 코팅을 행하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 절연하는 단계는 산화 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane oxide)의 증착을 행하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 나노튜브의 길이를 조정하는 단계 를 더 포함하는, 방법.

제20항에 있어서, 상기 조정하는 단계는 CMP 공정을 행하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 절연 물질의 제1 면을 제거하는 단계는 플루오르화 수소산에 의해 상기 절연 물질의 상기 제1 면을 제거하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 부가하는 단계는 전기/무전해 도금에 의해 상기 캡을 부가하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 부가하는 단계는 나노입자들을 이용한 화학적 자기조립에 의해 상기 캡을 부가하는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 나노튜브로부터 상기 기판을 제거하는 단계는 상기 나노튜브로부터 상기 기판을 물리적으로 떼어내는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 나노튜브로부터 상기 기판을 제거하는 단계는 상기 기판을 화학적으로 식각해 내는 단계 를 포함하는, 방법.

제16항에 있어서, 상기 금속 캡이 상기 나노튜브의 제2 부분보다 제2 기판에 더 가까이 위치하도록, 상기 금속 캡을 가지는 상기 나노튜브를 상기 제2 기판에 위치시키는 단계; 상기 절연 물질의 제2 면을 제거하여, 상기 나노튜브의 상기 제2 부분을 노출시키는 단계; 상기 나노튜브의 상기 제2 부분에 제2 캡을 부가하는 단계; 상기 나노튜브로부터 상기 제2 기판을 제거하는 단계; 및 상기 나노튜브로부터 상기 절연 물질을 제거하는 단계 를 더 포함하는, 방법.

제27항에 있어서, 상기 위치시키는 단계는 상기 나노튜브의 상기 제1 부분의 상기 캡을 도전성 페이스트에 의해 상기 제2 기판에 부착하는 단계 를 포함하는, 방법.

제30항에 있어서, 상기 도전성 페이스트를 제거하는 단계는 아세톤 용액으로 상기 도전성 페이스트를 식각하는 단계 를 포함하는, 방법.