제13항에 있어서, 상기 페로브스카이트 광활성층의 결정 크기는 5 nm 내지 65 nm 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.

페로브스카이트 전구체와 분산 용매를 포함하는 페로브스카이트 용액을 제조하는 단계;기판 상에 상기 페로브스카이트 용액을 도포하는 단계;상기 페로브스카이트 용액의 도포 과정에서 상기 기판 상에 과포화 반용매 용액(super-saturated antisolvent solution)을 적가하여 페로브스카이트 전구체 박막을 형성하는 단계; 및상기 페로브스카이트 전구체 박막을 열처리하여 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 기판 상에 과포화 반용매 용액을 적가하여 페로브스카이트 전구체 박막을 형성하는 단계는,첨가제와 제1 반용매를 혼합하여 첨가제 반용매 용액을 제조하는 단계; 및상기 첨가제 반용매 용액에 제2 반용매를 혼합하여 과포화 반용매 용액을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 기판 상에 과포화 반용매 용액을 적가하여 페로브스카이트 전구체 박막을 형성하는 단계는,상기 과포화 반용매 용액을 적가할 때, 상기 첨가제가 고상으로 적가되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 박막은 상기 첨가제의 용해도에 따라 결정 크기가 제어되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제3항에 있어서, 상기 과포화 반용매 용액에 포함되는 상기 제1 반용매 및 상기 제2 반용매의 부피비는 1:9 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제3항에 있어서, 상기 과포화 반용매 용액에 포함되는 첨가제의 용해도는 0.18 mg/ml 내지 1.6 mg/ml 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.[화학식 1]AaMbXc(상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온이고, M은 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, M이 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M이 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, a, b, c는 자연수이다.)

제1항에 있어서, 상기 제1 반용매는 이소프로판올(isopropanol, IPA), 에탄올 (ethanol), 메탄올 (methanol) 및 n-부탄올 (n-buthanol), 1-펜탄올 (1-pentanol) 및 헥산올 (hexanol) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 제2 반용매는 톨루엔(toluene), 클로로벤젠 (chlorobenzene), 에틸아세테이트 (ethyl acetate), 클로로포름 (chloroform) 및 이써 (ether) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 첨가제는 하기 화학식 2로 표시되는 할라이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막의 제조방법.[화학식 2]AX(상기 화학식 2에서, A는 1가의 양이온이고, X는 1가의 음이온이다.)

제1항에 따른 페로브스카이트 박막의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막.

제10항에 있어서, 상기 페로브스카이트 박막의 결정 크기는 5 nm 내지 65 nm 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막.

기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층 상에 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계는 제1항에 따른 페로브스카이트 박막의 제조방법에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법.

제10항에 따른 페로브스카이트 광전소자의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.