(a) 은 전구체에 아민계 화합물을 첨가하여 용액을 제조하는 단계; (b) 상기 제조된 용액을 20℃ 내지 30℃로 냉각시키는 단계; 및(c) 상기 냉각된 용액에 셀레늄 전구체를 주입하여 셀레늄화은을 성장시키는 단계를 포함하는 셀레늄화은 양자점의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 아민계 화합물은 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(n-octylamine), 아닐린(aniline), 4,4'-바이피리딘(4,4'-bipyridine), p-페닐렌다이아민(p-phenylenedimaine), 에틸렌다이아민(ethylenediamine) 및 트리스(2-아미노에틸)아민(tris(2-aminoethyl)amine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고, 용액은 무극성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀레늄화은 양자점의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 용액은 25±2℃로 냉각시키는 것을 특징으로 하는, 셀레늄화은 양자점의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 셀레늄화은의 성장은 10분 내지 1,000시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는, 셀레늄화은 양자점의 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 셀레늄화은 양자점의 흡수 피크는 1,800 cm-1 내지 2,500 cm-1이고, 최대 반치(fwhm)는 200 cm-1 내지 1,500 cm-1이며, 평균 크기는 6.0 nm 내지 12.0 nm인 것을 특징으로 하는, 셀레늄화은 양자점의 제조방법.

제1항 내지 제5항 중 어느한 항에 따라 셀레늄화은 양자점을 제조하는 단계; 및상기 셀레늄화은 양자점을 전극 상에 증착시키는 단계를 포함하는 적외선 광학장치의 제작방법.