제1항에 있어서, 상기 선택 산화층을 포함하는 정공 고속층의 정공 농도는 1015 cm-3 내지 1020 cm-3 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.

제1항에 있어서, 상기 선택 산화층을 포함하는 정공 고속층의 정공 이동도는 10-3 cm2/VS 내지 103 cm2/VS 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.

제1 전극 상에 형성되는 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성되는 페로브스카이트 광활성층; 상기 페로브스카이트 광활성층 상에 형성되는 전자 수송층; 및상기 전자 수송층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하고,상기 정공 수송층은,상기 제1 전극 상에 형성되고, 금속 할라이드가 도핑된 제1 페로브스카이트 화합물을 포함하는 선택 산화층(selectively oxidized layer)을 포함하는 정공 고속층(hole express layer)을 포함하고, 상기 선택 산화층을 포함하는 정공 고속층은 제2 페로브스카이트 화합물을 포함하며, 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.화학식 3x(AaM1nM2mX1c)1-x(상기 화학식 3에서, A는 1가의 양이온이고, M1 또는 M2는 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X1는 1가의 음이온이고, M1 또는 M2가 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M1 또는 M2가 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, M1와 M2가 2가의 금속 양이온일 때 a+2(m+n)=c, M1와 M2가 3가의 금속 양이온일 때 a+3(m+n)=c이고, a, b, m+n, c는 자연수, x는 0 초과 1 이하 수이다)

제1항에 있어서, 상기 선택 산화층을 포함하는 정공 고속층은 상기 금속 할라이드가 도핑된 제1 페로브스카이트 화합물이 산화되어 상기 제1 페로브스카이트 화합물의 2가 또는 3가의 금속 양이온과 산화 상태가 상이한 금속 양이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.

제1항에 있어서, 상기 선택 산화층은 상기 제1 페로브스카이트 화합물 내에 0.01% 내지 10%의 금속 할라이드가 도핑된 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.

제1항에 있어서, 상기 제1 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.[화학식 1]AaM1bX1c(상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온이고, M1은 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, M1이 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, n이 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, a, b, c는 자연수이다.)

제1항에 있어서, 상기 금속 할라이드는 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.[화학식 2]M1nX2c(상기 화학식 2에서, M1은 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X2는 1가의 음이온이고, M1이 2가의 금속 양이온일 때 n=2c 이며, M1이 3가의 금속 양이온일 때 n=3c이며, n, c는 자연수이다)

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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 광활성층은 제3 페로브스카이트 화합물을 포함하고,상기 제3 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자.[화학식 4]AaM1mM2nX1c(상기 화학식 4에서, A는 1가의 양이온이고, M1 및 M2는 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X1는 1가의 음이온이고, M1와 M2가 2가의 금속 양이온일 때 a+2(m+n)=c, M1와 M2가 3가의 금속 양이온일 때 a+3(m+n)=c이며, a, m+n, c는 자연수이다.)

제1 전극 상에 선택 산화층을 형성하는 단계;상기 선택 산화층 상에 제3 페로브스카이트 전구체 용액을 이용하여 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계에서 상기 제3 페로브스카이트 전구체 용액이 상기 선택 산화층과 혼재되어 정공 고속층이 형성되며,상기 선택 산화층을 포함하는 정공 고속층은 제2 페로브스카이트 화합물을 포함하며, 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조 방법.화학식 3x(AaM1nM2mX1c)1-x(상기 화학식 3에서, A는 1가의 양이온이고, M1 또는 M2는 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X1는 1가의 음이온이고, M1 또는 M2가 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M1 또는 M2가 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, M1와 M2가 2가의 금속 양이온일 때 a+2(m+n)=c, M1와 M2가 3가의 금속 양이온일 때 a+3(m+n)=c이고, a, b, m+n, c는 자연수, x는 0 초과 1 이하 수이다)

제10항에 있어서,상기 제1 전극 상에 선택 산화층을 형성하는 단계는,금속 할라이드, 제1 페로브스카이트 화합물 및 용매를 포함하는 제1 페로브스카이트 전구체 용액을 준비하는 단계;상기 제1 페로브스카이트 전구체 용액을 상기 제1 전극 상에 도포하여 제1 페로브스카이트 전구체층을 형성하는 단계; 및상기 제1 페로브스카이트 전구체층을 산화시켜 선택 산화층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 금속 할라이드는 제1 페로브스카이트 전구체 용액에 대하여 0.01% 내지 10%로 포함되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 제1 페로브스카이트 전구체층을 산화시켜 선택 산화층을 형성하는 단계는, 산화 시간이 0.1 초 내지 30분인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조 방법.