표면에 올레산(oleic acid; OA) 리간드가 캡핑된 제1 및 제2 양자점을 각각 합성하는 제1 단계;합성된 제1 및 제2 양자점을 제1 용매에 각각 분산하여 제1 및 제2 양자점 용액을 준비하고, 제1 및 제2 리간드를 제2 용매에 각각 분산하여 제1 및 제2 리간드 용액을 준비하는 제2 단계; 및상기 제1 양자점 용액을 상기 제1 또는 제2 리간드 용액과 반응시키고, 상기 제2 양자점 용액을 상기 제1 또는 제2 리간드 용액과 반응시켜, 제1 또는 제2 리간드로 교환된 제1 양자점을 포함하는 제1 양자점 잉크 및 제1 또는 제2 리간드로 교환된 제2 양자점을 포함하는 제2 양자점 잉크를 제조하는 제3 단계를 포함하고,상기 제1 양자점은 n형 반도체 특성을 가지고, 상기 제2 양자점은 p형 반도체 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 양자점은 무독성 III-V족 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제2항에 있어서,상기 무독성 III-V족 물질은 인듐(In) 기반에 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중에서 어느 하나가 포함된 이원소 화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 양자점은 InAs로 이루어지고, 상기 제2 양자점은 InSb로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 양자점의 직경은 5 내지6 nm인 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 리간드는 티올 리간드이고, 상기 제2 리간드는 할라이드 리간드인 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 티올 리간드는 머켑토프로피오닉엑시드(3-mercaptopropionic acid)를 포함하고,상기 할라이드 리간드는 InBr3, InI3 및 InCl3 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 용매는 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide; DMF)를 포함하고,상기 제2 용매는 옥탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 제1 양자점 용액은 상기 제1 또는 제2 리간드 용액과 반응하되, 상기 제1 양자점에 대한 상기 제1 또는 제2 리간드 용액의 부피비는 1 : 1 ~ 2이고,상기 제2 양자점 용액은 상기 제1 또는 제2 리간드 용액과 반응하되, 상기 제2 양자점에 대한 상기 제1 또는 제2 리간드 용액의 부피비는 1 : 1 ~ 2인 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 제2 양자점과 제2 리간드 용액의 반응 시에,상기 제2 리간드와 함께 염기물질을 첨가한 후 강하게 교반하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 제2 리간드와 함께 염기물질을 첨가한 후 강하게 교반하여 반응시키되, 0.1 M의 제2 리간드와 0.045 M의 염기물질을 첨가한 후 강하게 교반하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제11항에 있어서,상기 염기물질은 암모늄 아세테이트(ammonium acetate), 메틸암모늄 아세테이트(methylammonium acetate) 및 소듐 아세테이트(sodium acetate) 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 양자점 용액을 제3 용매를 이용하여 정제하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제13항에 있어서,상기 제1 또는 제2 양자점 용액에 대해서 상기 제3 용매를 부피비로 1 : 2 ~ 3으로 주입하고,2000 내지 4000 rpm에서 1 내지 10분 동안 원심분리하여 반응 잔여물을 제거하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

제14항에 있어서,상기 제3 용매는 톨루엔 또는 헥산을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크의 제조 방법.

기판; 상기 기판 상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층 상에 적층된 전자수송층; 상기 전자수송층 상에 적층된 양자점 광활성층; 상기 양자점 광활성층 상에 적층된 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 적층된 전극층을 포함하는 광전자 소자에 있어서,상기 양자점 광활성층은 제1항 내지 제15항에 따라 제조된 제1 양자점 잉크 및 제2 양자점 잉크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제16항에 있어서,상기 양자점 광활성층은 상기 제1 양자점 잉크와 상기 제2 양자점 잉크를 혼합한 혼합잉크를 도포하여 형성되고,상기 혼합잉크는 상기 제1 양자점 잉크에 대한 상기 제2 양자점 잉크의 부피비로 1 : 1 ~ 2로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제16항에 있어서,상기 제1 양자점 잉크는 제1 또는 제2 리간드로 교환된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 양자점 잉크는 제1 또는 제2 리간드로 교환된 제2 양자점을 포함하고, 상기 제1 양자점은 n형 반도체 특성을 가지고, 상기 제2 양자점은 p형 반도체 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제18항에 있어서,상기 제1 및 제2 양자점은 무독성 III-V족 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제19항에 있어서,상기 무독성 III-V족 물질은 인듐(In) 기반에 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중에서 어느 하나가 포함된 이원소 화합물인 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제18항에 있어서,상기 제1 양자점은 InAs로 이루어지고, 상기 제2 양자점은 InSb로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제18항에 있어서,상기 제1 및 제2 양자점의 직경은 5 내지6 nm인 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제18항에 있어서,상기 제1 리간드는 티올 리간드이고, 상기 제2 리간드는 할라이드 리간드인 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제23항에 있어서,상기 티올 리간드는 머켑토프로피오닉엑시드(3-mercaptopropionic acid)를 포함하고,상기 할라이드 리간드는 InBr3, InI3 및 InCl3 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제16항에 있어서,상기 양자점 광활성층은,10 nm 내지 100 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제16항에 있어서,상기 광전자 소자는 850 nm 내지 1550 nm의 적외선 대역에서 구동하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.

제16항에 있어서,상기 광전자 소자는 1550 nm의 적외선 대역에서 3.76 mA/W의 광응답성을 갖는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.