제5항에 있어서,상기 제1 저항부는 지그재그 형태로 연장되면서 상기 제1 선로부를 횡단하는 흡수 장치.

전기가 소통하는 제1 선로부 및 상기 제1 선로부보다 높은 저항값을 가지는 제1 저항부를 포함하는 제1 패턴; 및전기가 소통하는 제2 선로부 및 상기 제2 선로부보다 높은 저항값을 가지는 제2 저항부를 포함하는 제2 패턴을 포함하되,상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴 상에 적층되고,상기 제1 패턴의 중심과 상기 제2 패턴의 중심은 동축 상에 배치되고,상기 제1 패턴은 상기 제1 선로부 및 상기 제1 저항부가 번갈아 배치된 제1 폐곡선 형상으로 형성되고,상기 제2 패턴은 상기 제2 선로부 및 상기 제2 저항부가 번갈아 배치된 제2 폐곡선 형상으로 형성되고,상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴은 복수의 물리적 특성 중 적어도 하나가 서로 다르게 형성되는 흡수 장치.

제1항에 있어서,상기 제1 선로부는 제1 저항값을 갖는 전도성 잉크를 포함하고,상기 제1 저항부는 상기 제1 저항값보다 높은 제2 저항값을 갖는 전도성 잉크를 포함하는 흡수 장치.

제1항에 있어서,제1 기판 상에 상기 제1 패턴이 형성될 때,상기 제1 기판을 기준으로, 상기 제1 저항부의 높이는 상기 제1 선로부의 높이 이하로 형성되는 흡수 장치.

제1항에 있어서,상기 제1 패턴의 연장 방향을 따라 전도성의 제1 선로와 제2 선로가 배열될 때,상기 제1 저항부는 상기 제1 선로와 상기 제2 선로의 직접적인 연결이 제한되도록 상기 제1 선로와 상기 제2 선로의 사이에 배치되고,상기 제1 저항부는 상기 제1 선로와 상기 제2 선로의 사이에서 상기 제1 선로와 상기 제2 선로를 전기적으로 연결시키며,상기 제1 저항부는 상기 제1 선로와 상기 제2 선로보다 높은 저항값을 갖는 흡수 장치.

제1항에 있어서,상기 제1 선로부가 제1 방향을 따라 연장될 때,상기 제1 저항부는 상기 제1 방향에 기울어진 방향을 따라 연속적으로 연장되면서 상기 제1 선로부의 일측 말단으로부터 타측 말단까지 횡단하게 형성되고,상기 제1 저항부로 인해 상기 제1 선로부는 상기 제1 저항부를 기준으로 일측의 제1 선로와 타측의 제2 선로로 구분되며,상기 제1 선로와 상기 제2 선로는 상기 제1 저항부에 의해 기하학적으로 단절되고,상기 제1 선로와 상기 제2 선로는 상기 제1 저항부를 통해 서로 전기적으로 연결되는 흡수 장치.

제1항에 있어서,상기 제1 선로부가 제1 방향을 따라 연장될 때,상기 제1 저항부는 상기 제1 선로부의 일측 단부로부터 상기 제1 방향에 기울어진 제2 방향을 따라 제1 연장되고,제1 연장된 상기 제1 저항부는 상기 제1 방향을 따라 제2 연장되며,상기 제2 연장된 상기 제1 저항부는 상기 제2 방향을 따라 제3 연장되고,상기 제3 연장된 상기 제1 저항부는 상기 제1 방향의 역방향을 따라 제4 연장되며,상기 제4 연장된 상기 제1 저항부는 상기 제2 방향을 따라 제5 연장되고,상기 제5 연장된 상기 제1 저항부는 상기 제1 방향을 따라 제6 연장되며,상기 제6 연장된 상기 제1 저항부는 상기 제2 방향을 따라 제7 연장되면서 상기 제1 선로부의 타측 단부에 연결되는 흡수 장치.

제1항에 있어서,상기 제1 패턴은 복수의 변을 갖는 다각형 형상으로 형성되고,상기 제1 저항부는 각 변의 중점에 각각 형성되는 흡수 장치.

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제1항에 있어서,베이스 기판과 상기 제1 패턴의 사이에 제1 높이를 갖는 제1 스페이서가 적층되고,상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴의 사이에 제2 높이를 갖는 제2 스페이서가 적층되며,상기 제1 높이는 3.5mm 이하의 범위 내에서 0.1mm 이상이고,상기 제2 높이는 3.5mm 이하의 범위 내에서 0.1mm 이상이며,상기 제1 패턴이 제1 기판 상에 형성되고, 상기 제2 패턴이 제2 기판 상에 형성될 때,상기 제1 기판의 길이와 상기 제2 기판의 길이는 20mm 이하의 범위 내에서 0.8mm 이상이고,상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴이 복수의 변을 갖는 다각형으로 형성될 때,상기 제1 패턴의 변의 길이는 20mm 이하의 범위 내에서 3mm 이상이며,상기 제2 패턴의 변의 길이는 20mm 이하의 범위 내에서 3mm 이상이고,상기 제1 패턴의 변의 길이와 상기 제2 패턴의 변의 길이는 서로 다르게 형성되며,상기 제1 선로부의 두께는 1.8mm 이하의 범위 내에서 0.5mm 이상이고,상기 제2 선로부의 두께는 1.8mm 이하의 범위 내에서 0.5mm 이상이며,상기 제1 저항부의 저항값은 200옴 이하의 범위 내에서 15옴 이상이고,상기 제2 저항부의 저항값은 200옴 이하의 범위 내에서 15옴 이상이며,상기 제1 저항부의 저항값과 상기 제2 저항부의 저항값은 서로 다르게 형성되는 흡수 장치.