| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 줄기세포에서 유도된 배양체(Embryoid body)를 280 내지 360 nm의 직경구배의 나노토포그래피 표면을 가지는 나노패턴 배양접시에서 배양하는 단계를 포함하는, 시험관 내(in vitro)의 심근세포에서 빈쿨린(Vinculin), 액티닌(actinin), α-MHC(Myosin Heavy Chain Alpha), cTnT(Cardiac Troponin T) 또는 cTnI(Cardiac troponin I)의 발현을 증가시키는 방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서, 나노패턴 배양접시는 200 내지 500 nm의 높이(Height) 및 80 내지 240 nm의 간격(Spacing)의 나노패턴의 나노토포그래피 표면을 가지는 배양접시인, 시험관 내의 심근세포에서 빈쿨린, 액티닌, α-MHC, cTnT 또는 cTnI의 발현을 증가시키는 방법. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 나노패턴 배양접시는 직경이 일정하게 증가하고, 간격이 일정하게 감소하는 이중구배의 나노토포그래피 표면을 가지는, 시험관 내의 심근세포에서 빈쿨린, 액티닌, α-MHC, cTnT 또는 cTnI의 발현을 증가시키는 방법. |
| 4 | 제 1항에 있어서, 배양체를 나노패턴 배양접시에서 6 내지 10일 동안 배양하는, 시험관 내의 심근세포에서 빈쿨린, 액티닌, α-MHC, cTnT 또는 cTnI의 발현을 증가시키는 방법. |
| 5 | 줄기세포에서 유도된 배양체를 280 내지 360 nm의 직경구배의 나노패턴 배양접시에서 배양하는 단계를 포함하는, 시험관 내의 심근세포에서 p-FAK(phospho-Focal adhesion kinase), Fli1(Friend leukemia virus integration 1), Lmo2(LIM domain only 2) 또는 Gata2(GATA Binding Protein 2)의 발현을 감소시키는 방법. |
| 6 | 제 5항에 있어서, 나노패턴 배양접시는 200 내지 500 nm의 높이(Height) 및 80 내지 240 nm의 간격(Spacing)의 나노패턴의 나노토포그래피 표면을 가지는 배양접시인, 시험관 내의 심근세포에서 p-FAK, Fli1, Lmo2 또는 Gata2의 발현을 감소시키는 방법. |
| 7 | 제 5항에 있어서, 나노패턴 배양접시는 직경이 일정하게 증가하고, 간격이 일정하게 감소하는 이중구배의 나노토포그래피 표면을 가지는, 시험관 내의 심근세포에서 p-FAK, Fli1, Lmo2 또는 Gata2의 발현을 감소시키는 방법. |
| 8 | 제 5항에 있어서, 배양체를 나노패턴 배양접시에서 6 내지 10일 동안 배양하는, 시험관 내의 심근세포에서 p-FAK, Fli1, Lmo2 또는 Gata2의 발현을 감소시키는 방법. |
