스핀-궤도 토크를 이용한 양축이방성 자성 박막 기반 자기 기억 소자
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY BASED ON THE FERROMAGNETIC FILM WITH BIAXIAL ANISOTROPY USING SPIN-ORBIT TORQUE
특허 요약
평면 양축이방성 자성 박막 기반 자기 기억 소자가 개시된다. 상기 자기 기억 소자는 기판 및 상기 기판 상에 형성되는 강자성 층을 포함하고, 상기 강자성 층은 양축이방성(biaxial anisotropy)을 갖는다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 기판; 및상기 기판 상에 형성되는 강자성 층을 포함하고,상기 강자성 층은 양축이방성(biaxial anisotropy)을 갖고,쓰기(write) 동작시, 상기 강자성 층에 인가되는 전류에 의해 발생하는 스핀-궤도 토크(spin-orbit torque)에 의해 상기 강자성 층의 자화 상태가 전환되는,자기 기억 소자. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 강자성 층은 중심비대칭 구조를 갖는 강자성 물질인,자기 기억 소자. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 강자성 층은 갈륨망간아세네이드(GaMnAsP) 또는 망간비스무스(MnBi)를 포함하는,자기 기억 소자. |
| 4 | 제1항에 있어서,쓰기(write) 동작시, 상기 강자성 층에 제1 방향의 전류가 인가되어 제1 자화상태의 상기 강자성 층의 자화상태가 제2 자화상태로 전환되는,자기 기억 소자. |
| 5 | 제4항에 있어서,쓰기 동작시, 상기 강자성 층에 상기 제1 방향과 반대되는 방향인 제2 방향의 전류가 인가되어 상기 제2 자화상태의 상기 강자성 층의 자화상태가 상기 제1 자화상태로 전환되는,자기 기억 소자. |
| 6 | 제1항에 있어서,읽기(read) 동작시, 상기 강자성 층의 평면 홀 저항 값에 기초하여 상기 자기 기억 소자에 저장되어 있는 정보가 식별되는,자기 기억 소자. |
