기판 상에, 기 설정된 패턴으로 투명한 절연층과 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 포토레지스트층 상에 제1전극, 제1전하수송층 및 전구체 물질을 순차적으로 증착하는 단계;상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;상기 전구체 물질을 광흡수층으로 변환시키는 단계; 및 상기 광흡수층 상에, 제2전하수송층 및 제2전극을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 기 설정된 패턴의 간격은, 입사광의 파장폭보다 작고,상기 기판은 중심부, 상기 중심부의 주변인 중간부 및 상기 중간부의 주변인 테두리부로 구분되고,상기 기 설정된 패턴은 상기 절연층의 중심을 기준으로 이격된 간격은 동일하고, 면적이 상기 중심부, 상기 중간부 및 상기 테두리부로 갈수록 좁아지는 반투명 태양전지 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 기판 상에, 기 설정된 패턴이 형성된 투명한 절연층과 포토레지스트층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 투명한 절연층을 증착하는 단계;상기 절연층 상에 포토리소그래피 공정으로 기 설정된 패턴으로 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층이 형성되지 않은 절연층을 건식 에칭하는 단계;를 포함하는 반투명 태양전지 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 전구체 물질은, PbI2, PbOX, PbBr2, SnI2 및 SnBr2 중 어느 하나 이상의 무기물을 포함하는 반투명 태양전지 제조방법.

제3항에 있어서, 상기 광흡수층은, 상기 포토레지스트층이 제거된 후에, 상기 무기물에 유기물의 코팅을 통한 건식공정으로 페로브스카이트 박막층으로 변환된 반투명 태양전지 제조방법.

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제1항에 있어서, 상기 제1전극, 상기 제1전하수송층 및 상기 광흡수층은, 상기 절연층 상에 증착되지 않고, 상기 절연층의 기 설정된 패턴 사이에 순차적으로 증착되는 반투명 태양전지 제조방법.

기판;기 설정된 패턴으로 상기 기판 상면에 직접 증착된 투명한 절연층;상기 절연층이 증착되지 않은 영역에서, 상기 기판 상면에 직접 증착된 제1전극;상기 절연층이 증착되지 않은 영역에서, 상기 제1전극 상면에 직접 증착된 제1전하수송층;상기 절연층이 증착되지 않은 영역에서, 상기 제1전하수송층 상면에 직접 증착된 광흡수층;상기 광흡수층과 상기 절연층 상에 증착된 제2전하수송층; 및 상기 제2전하수송층 상에 증착된 제2전극;을 포함하고,상기 기 설정된 패턴의 간격은, 입사광의 파장폭보다 작고,상기 기판은 중심부, 상기 중심부의 주변인 중간부 및 상기 중간부의 주변인 테두리부로 구분되고,상기 기 설정된 패턴은 상기 절연층의 중심을 기준으로 이격된 간격은 동일하고, 면적이 상기 중심부, 상기 중간부 및 상기 테두리부로 갈수록 좁아지는 반투명 태양전지.

제7항에 있어서, 상기 광흡수층과 절연층의 상측은 동일 평면이고, 상기 제2전하수송층은 상기 광흡수층과 절연층의 상에 증착되는 반투명 태양전지.

제7항에 있어서, 기 설정된 패턴으로 증착된 투명한 절연층은, 상기 기판 상에 투명한 절연층을 증착하고, 상기 절연층 상에 포토리소그래피 공정으로 기 설정된 패턴의 포토레지스트층을 형성한 다음, 상기 포토레지스트층이 형성되지 않은 절연층을 건식 에칭하여 형성하는 반투명 태양전지.

제9항에 있어서, 상기 포토레지스트층은, 상기 제1전극, 상기 제1전하수송층 및 상기 광흡수층이 증착된 후, 리프트-오프 공정으로 제거되고,상기 제1전극, 상기 제1전하수송층 및 상기 광흡수층은, 상기 기 설정된 패턴의 절연층의 사이에 증착되는 반투명 태양전지.