| 번호 | 청구항 |
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| 5 | 제4항에 있어서,상기 공액계 화합물은, 하기의 화합물에서 선택되는 것인, 페로브스카이트 복합재: 및. |
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| 4 | 하기의 화학식 1-2 및 1-3 중 적어도 하나 이상을 포함하는 공액계 화합물: 및페로브스카이트; 를 포함하고,상기 공액계 화합물은 페로브스카이트 복합재 중 0.0001 중량% 내지 50 중량%이고, 상기 페로브스카이트는 무기금속할라이드 페로브스카이트를 포함하는 것인, 페로브스카이트 복합재: [화학식 1-2] [화학식 1-3] (여기서, L1 및 L2는 -(R)n-N(R3)(R4) 및 -P(O)(OR11)(OR12)(OR13)m에서 선택되고, R, R3, R4, R11 , R12 및 R13는 각각 수소 및 탄소수 1 내지 5의 알킬에서 선택되고, n 및 m은 각각 0 또는 1이고, X는 산소(O)이다.) |
| 7 | 제4항에 있어서,상기 페로브스카이트 복합재 중 페로브스카이트 결정립의 크기는 1 nm 내지 900 nm인 것인, 페로브스카이트 복합재. |
| 8 | 제4항에 있어서,상기 페로브스카이트 복합재는 페로브스카이트 결정립계 내에 상기 공액계 화합물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 복합재. |
| 9 | 삭제 |
| 10 | 삭제 |
| 11 | 제1 전극;제2 전극; 및 제4항의 페로브스카이트 복합재를 포함하는 페로브스카이트 광발광층; 을 포함하는, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 12 | 제11항에 있어서,상기 광발광층의 표면 조도는 1 nm 이하인 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 13 | 제11항에 있어서,상기 광발광층의 두께는 1 nm 내지 200 nm인 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 14 | 제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 광발광층은,상기 공액계 화합물; 및 페로브스카이트 전구체; 를 포함하는 전구체 조성물을 열처리하여 형성된 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 15 | 제14항에 있어서,상기 열처리는 60 ℃ 내지 200 ℃ 온도에서 1분 내지 12 시간 동안 열처리되는 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 16 | 제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 다이오드는 청색광 발광 다이오드인 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 17 | 제11항에 있어서,제1 전극, 제2 전극 또는 이 둘과 광발광층 사이에 정공수송층 또는 전자주입층;을 더 포함하는 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 18 | 제17항에 있어서,상기 정공수송층 또는 상기 전자주입층과 상기 광발광층 사이에 유기 중간층;을 더 포함하는 것인, 페로브스카이트 발광 다이오드. |
| 19 | 제11항의 페로브스카이트 발광 다이오드를 포함하는, 디스플레이 장치. |
