| 번호 | 청구항 |
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| 17 | 제11항에 있어서,상기 풀러렌 제공층에 함유된 풀러렌 유도체 용액의 두께가 5 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 1 | 기판;상기 기판 상에 위치된 하부전극층;상기 하부전극층 상에 위치된 전자수송층;상기 전자수송층 상에 위치되어 풀러렌 유도체로 구성된 풀러렌 제공층;상기 풀러렌 제공층 상에 위치되며 상기 풀러렌 제공층의 상기 풀러렌 유도체가 흡수된 페로브스카이트 광활성층;상기 풀러렌 유도체가 흡수된 페로브스카이트 광활성층 상에 위치된 정공수송층;및상기 정공수송층 상에 위치된 상부전극층을 포함하되,상기 풀러렌 제공층에서, 상기 풀러렌 유도체는 [6,6]-phenyl-Cn-butyric acid 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl ester (PCnB-TEG), [6,6]-phenyl-Cn-butyric acid 1-methyl 3-[2-(2,5,8,11-tetraoxadodec-1-yl)-4,7,10,13-tetra-oxatetradec-1-yl]ester (PCnB-BiTEG), [6,6]-phenyl-Cn-butyric acid-(3,4,5-tris(2-(2-(2-methoxy-ethoxy)ethoxy)ethoxy)phenyl)methanol ester (PCnB-OEG), [6,6]-phenyl-Cn-butyric oxetane dendron ester (PCnBOD) 및 fullerene end-capped polyethylene glycol (PCn-PEG)으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하며, 상기 n은 61, 71 또는 85인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 하부전극층은 불소함유 산화주석(FTO: fluorine doped tin oxide), 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO) 또는 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al)로 구성된 투명전극층인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 전자수송층은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO)또는 황화카드뮴(CdS)으로 구성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 풀러렌 제공층에서,상기 풀러렌 유도체는 에틸렌 글리콜 기능기를 포함하는 풀러렌 화합물인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 풀러렌 제공층에서,상기 풀러렌 유도체는 극성 및 비극성 용매에서 용해 가능한 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 풀러렌 유도체가 흡수된 페로브스카이트 광활성층에서,상기 페로브스카이트 광활성층은 하부에 위치된 상기 풀러렌 제공층에 함유된 풀러렌 유도체가 페로브스카이트 전구체층에 흡수되어 농도구배가 형성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 8 | 제1항에 있어서,상기 풀러렌 유도체가 흡수된 페로브스카이트 광활성층에서,상기 페로브스카이트 광활성층은 FA1-xCsxPbBryI3-y(여기서 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 3 이고, 상기 FA는 포르마미디늄)로 구성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 정공수송층은 CuSCN (copper thiocyanate), CuI (copper iodide), CuPC (copper phthalocyanine) 또는 spiro-MeOTAD 으로 구성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 10 | 제1항에 있어서,상기 상부전극층은 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 은(Ag), 아연(Zn), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 크롬(Cr)으로 구성된 금속인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지. |
| 11 | 기판 상에 하부전극층을 형성하는 단계;상기 하부전극층 상에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 풀러렌 유도체를 코팅하여 풀러렌 제공층을 형성하는 단계;상기 풀러렌 제공층 상에 페로브스카이트 전구체 용액을 코팅하여 페로브스카이트 전구체층을 형성하는 단계;상기 풀러렌 제공층의 상기 풀러렌 유도체가 상기 페로브스카이트 전구체층에 흡수되도록 기 설정된 시간 동안 방치하여 풀러렌 유도체가 흡수된 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계;상기 풀러렌 유도체가 흡수된 페로브스카이트 광활성층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;및상기 정공수송층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 풀러렌 제공층에서, 상기 풀러렌 유도체는 [6,6]-phenyl-Cn-butyric acid 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl ester (PCnB-TEG), [6,6]-phenyl-Cn-butyric acid 1-methyl 3-[2-(2,5,8,11-tetraoxadodec-1-yl)-4,7,10,13-tetra-oxatetradec-1-yl]ester (PCnB-BiTEG), [6,6]-phenyl-Cn-butyric acid-(3,4,5-tris(2-(2-(2-methoxy-ethoxy)ethoxy)ethoxy)phenyl)methanol ester (PCnB-OEG), [6,6]-phenyl-Cn-butyric oxetane dendron ester (PCnBOD) 및 fullerene end-capped polyethylene glycol (PCn-PEG)으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하며, 상기 n은 61, 71 또는 85인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 12 | 제11항에 있어서,상기 하부 전극층을 형성하는 단계에서,상기 하부 전극층은 불소함유 산화주석(FTO: fluorine doped tin oxide), 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO) 또는 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al)으로 구성된 투명전극층인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 13 | 제11항에 있어서,상기 전자수송층을 형성하는 단계에서,상기 전자수송층은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 또는 황화카드뮴(CdS)으로 구성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 14 | 제11항에 있어서,상기 풀러렌 제공층을 형성하는 단계에서,상기 풀러렌 유도체는 에틸렌 글리콜 기능기를 포함하는 풀러렌 화합물인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 15 | 삭제 |
| 16 | 제11항에 있어서,상기 풀러렌 제공층을 형성하는 단계에서,상기 풀러렌 유도체는 극성 및 비극성 용매에서 용해 가능한 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 18 | 제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체층을 형성하는 단계에서,상기 페로브스카이트 전구체 용액은 FA1-xCsxPbBryI3-y(여기서 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 3 이고, 상기 FA는 포르마미디늄)을 포함하는 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 19 | 제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계에서,상기 페로브스카이트 광활성층은 하부에 위치된 상기 풀러렌 제공층에 함유된 풀러렌 유도체가 상기 페로브스카이트 전구체층에 흡수되어 농도구배가 형성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 20 | 제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계에서,상기 풀러렌 유도체가 상기 페로브스카이트 전구체 용액에 흡수되도록 0.5분 내지 3분 동안 방치시키는 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 21 | 제11항에 있어서,상기 정공수송층을 형성하는 단계에서,상기 정공수송층은 CuSCN (copper thiocyanate), CuI (copper iodide), CuPC (copper phthalocyanine) 또는 spiro- MeOTAD 으로 구성된 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |
| 22 | 제11항에 있어서,상기 상부전극층을 형성하는 단계에서,상기 상부전극층은 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 은(Ag), 아연(Zn), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 크롬(Cr)으로 구성된 금속인 것을 특징으로 하는 풀러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법. |