나노니들 어레이 제조방법
METHOD FOR FABRICATING NANONEEDLE ARRAY
특허 요약
본 발명은 나노니들 어레이 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노니들 어레이 제조방법은 피가공 소재를 가공하여 다수의 나노니들이 배열된 나노니들 어레이를 제조하는 나노니들 어레이 제조방법에 있어서, 피가공 소재의 일면 상에, 마이크로 입자를 도포하여 마스크층을 형성하는 단계(S100), 마스크층이 형성된 피가공 소재의 일면에서부터 소정의 깊이까지 건식식각하여, 소정의 높이를 가지는 나노니들을 1차 성형하는 단계(S200), 성형된 나노니들 상의 마이크로 입자를 선택적으로 건식식각하여, 마이크로 입자를 안정화하는 단계(S300), 및 성형된 나노니들을 건식식각하여, 나노니들을 2차 성형하는 단계(S400)를 포함한다.
청구항
번호청구항
1

피가공 소재를 가공하여 다수의 나노니들이 배열된 나노니들 어레이를 제조하는 나노니들 어레이 제조방법에 있어서,(a) 상기 피가공 소재의 일면 상에, 마이크로 입자를 도포하여 마스크층을 형성하는 단계;(b) 상기 마스크층이 형성된 상기 피가공 소재의 일면에서부터 소정의 깊이까지 건식식각하여, 소정의 높이를 가지는 상기 나노니들을 1차 성형하는 단계; (c) 성형된 상기 나노니들 상의 상기 마이크로 입자를 선택적으로 건식식각하여, 상기 마이크로 입자를 안정화하는 단계; 및(d) 성형된 상기 나노니들을 건식식각하여, 상기 나노니들을 2차 성형하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계에서, 상기 마이크로 입자는, 상기 나노니들의 높이 방향을 상하 방향으로 할 때에, 상기 상하 방향으로 절단된 단면이 타원 형태로 식각되며,상기 (c) 단계는, 상기 피가공 소재 대비 상기 마이크로 입자에 대한 선택성이 높은 식각 조건 하에서, 상기 (b) 단계에서 식각된 타원형 상기 마이크로 입자의 단축 길이 대비 장축 길이의 비가 작아지도록 상기 마이크로 입자를 식각하는 나노니들 어레이 제조방법.

2

청구항 1에 있어서,상기 피가공 소재는,고분자 소재, 무기 소재, 및 금속 소재로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 나노니들 어레이 제조방법.

3

청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계의 상기 피가공 소재는,상기 일면 상에, 실란계 화합물 또는 아민계 화합물로 이루어진 표면개질층이 형성된 것인 나노니들 어레이 제조방법.

4

청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계의 상기 피가공 소재의 일면은, 산소 플라즈마 처리된 것인 나노니들 어레이 제조방법.

5

청구항 1에 있어서,상기 마이크로 입자는,실리콘 계열 입자, 및 고분자 계열 입자로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 나노니들 어레이 제조방법.

6

청구항 1에 있어서,상기 마이크로 입자는,표면에 카르복실기 또는 아민기가 도입된 것인 나노니들 어레이 제조방법.

7

청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계 사이, 및 상기 (c) 단계와 상기 (d) 단계 사이 중 적어도 어느 하나 이상의 사이에,소정의 휴지기 동안 상기 피가공 소재를 방치하여, 상기 피가공 소재의 내부 열을 발산시키는 단계;를 더 포함하는 나노니들 어레이 제조방법.

8

청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계 이후에,(e) 성형된 상기 나노니들 상의 상기 마이크로 입자를 선택적으로 건식식각하여, 상기 마이크로 입자를 추가 안정화하는 단계; 및(f) 성형된 상기 나노니들을 건식식각하여, 상기 나노니들을 추가 성형하는 단계;를 더 포함하고,상기 (e) 단계, 및 상기 (f) 단계는 적어도 n(n은 1 이상의 자연수)회 이상 순차적으로 반복되는 나노니들 어레이 제조방법.

9

청구항 8에 있어서,상기 (d) 단계와 상기 (e) 단계 사이, 및 상기 (e) 단계와 상기 (f) 단계 사이 중 적어도 어느 하나 이상의 사이에,소정의 휴지기 동안 상기 피가공 소재를 방치하여, 상기 피가공 소재의 내부 열을 추가 발산시키는 단계;를 더 포함하는 나노니들 어레이 제조방법.

10

청구항 1에 있어서,상기 건식식각은,RF(radio frequency) 플라즈마, DC(direct current) 플라즈마, 전자공명 플라즈마(ECR), 유도결합 플라즈마(ICP), 트랜스포머결합 플라즈마(TCP) 및 자기장으로 강화된 플라즈마(MRIE)에서 선택된 1종의 건식식각 시스템에서 실행되는 나노니들 어레이 제조방법.