제1 항에 있어서, 상기 마스크층은, 질화 규소(SiNx), 산화 규소(SiO2), 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제1 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 질화 알루미늄(AlN), 저온 질화 갈륨(Low temperature GaN, LT-GaN), 및 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 중 어느 하나를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

오목부 및 볼록부를 포함하는 패턴이 형성된 PSS(pattern sapphire substrate) 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 상기 패턴을 덮도록 마스크층을 형성하는 단계;상기 패턴의 볼록부 중 일부가 외부에 노출되도록 상기 마스크층이 형성된 상기 기판을 폴리싱(polishing)하는 단계;상기 마스크층 및 노출된 상기 볼록부를 덮도록 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및노출된 상기 볼록부와 상기 버퍼층이 중첩되는 영역 상에만 선택적으로 질화 갈륨(GaN) 나노 로드(nano rod)를 성장시키는 단계를 포함하되,상기 마스크층은 상기 나노 로드의 성장을 억제하고, 노출된 상기 볼록부는 사파이어의 C-평면(C-plane)을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제1 항에 있어서, 상기 마스크층이 형성된 상기 기판을 폴리싱하는 단계는, 상기 볼록부의 일부와 상기 마스크층의 일부가 함께 제거되어, 상기 패턴의 볼록부 중 일부가 외부에 노출되는 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제1 항에 있어서, 노출된 상기 볼록부는 상부면은 평탄화된 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제3 항에 있어서, 상기 나노 로드는, 노출된 상기 볼록부 상부면의 법선 방향으로 연장되도록 성장되는 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제1 항에 있어서, 상기 기판을 폴리싱하는 시간이 증가함에 따라, 상기 볼록부가 외부에 노출되는 영역의 면적이 증가하는 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제1 항에 있어서, 상기 나노 로드는, 갈륨(Ga)을 포함하는 제1 전구체와 질소(N)를 포함하는 제2 전구체가 주기적으로 공급 및 차단되는 펄스드 모드 MOCVD(pulsed mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법을 통해 에피 성장된 것을 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

제6 항에 있어서, 상기 제1 전구체는 TMGa(Trimethyl Gallium)을 포함하고, 상기 제2 전구체는 암모니아(NH3)를 포함하는 반도체 구조물의 선택적 성장 방법.

오목부 및 볼록부를 포함하는 패턴이 형성되되, 상기 볼록부의 상부면이 평탄화된 기판;상기 볼록부의 평탄화된 영역인 제1 영역이 노출되도록, 상기 제1 영역을 제외한 상기 볼록부의 제2 영역 및 상기 오목부를 덮는 마스크층;상기 볼록부의 상기 제1 영역 및 상기 마스크층을 덮는 버퍼층;상기 볼록부의 상기 제1 영역 및 상기 버퍼층이 중첩되는 영역 상에만 선택적으로, 상기 볼록부의 상부면의 법선 방향으로 연장되도록 성장된 질화 갈륨(GaN) 나노 로드(nano rod)를 포함하되,상기 기판은 PSS(pattern sapphire substrate)를 포함하고, 상기 볼록부의 상기 제1 영역은 사파이어의 C-평면(C-plane)을 포함하며, 상기 마스크층은 상기 나노 로드의 성장을 억제하는 것을 포함하는 반도체 구조물.

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제10 항에 있어서,상기 버퍼층은, 상기 기판과 상기 나노 로드 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)을 감소시키는 것을 포함하는 반도체 구조물.