| 번호 | 청구항 |
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| 3 | 제 1 항에 있어서, 상기 맥신층은 하기 화학식 1로 표시되는 맥신(MXene)을 포함하는 것인, 가시광선-적외선 스텔스 소자:[화학식 1]Mn+1XnTx화학식 1에서, M은 IIIB족 금속, IVB족 금속, VB족 금속 또는 VIB족 금속이고,X는 C, N 또는 이들의 조합이며, T는 O, F, -OH 또는 Cl이고, x 및 n은 각각 독립적으로, 1 내지 4 범위 내의 정수다. |
| 1 | 맥신층; 상기 맥신층 상에 존재하는 반도체층; 및상기 반도체층 상에 존재하는 유전체층을 포함하고, 상기 반도체층은 1,000 nm 내지 14,000 nm 범위 내의 파장 광에 대한 평균 흡광 계수가 0.01 미만이고, 380 nm 내지 700 nm 범위 내의 파장 광에 대한 평균 흡광 계수가 0.01 이상인 반도체 물질을 포함하며,상기 유전체층은 380 nm 내지 14,000 nm 범위 내의 파장 광에 대한 굴절률이 4 이하인 물질을 포함하고, 8,000 nm 내지 14,000 nm 범위 내의 파장 및 3,000 nm 내지 5,000 nm 범위 내의 파장에 대하여 0.3 이하의 평균 방사율을 가지고, 5,000 nm 내지 8,000 nm 범위 내의 파장에 대하여 0.3 초과의 평균 방사율을 가지는, 가시광선-적외선 스텔스 소자. |
| 2 | 제 1 항에 있어서, 상기 맥신층의 두께는 200 nm 이상인 것인, 가시광선-적외선 스텔스 소자. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 맥신층은 하기 화학식 2로 표시되는 맥신(MXene)을 포함하는 것인,가시광선-적외선 스텔스 소자:[화학식 2]M’2M’’nXn+1Tx화학식 2에서, M’ 및 M’’은 각각 독립적으로 IIIB족 금속, IVB족 금속, VB족 금속 또는 VIB족 금속이고,M’ 및 M’’은 서로 다르며, X는 C, N 또는 이들의 조합이고, T는 O, F, -OH 또는 Cl이며, x 및 n은 각각 독립적으로 1 또는 2다. |
| 5 | 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 두께는 100 nm 내지 1,000 nm 범위 내인 것인,가시광선-적외선 스텔스 소자. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제 1 항에 있어서,상기 반도체 물질은 실리콘계 물질 또는 게르마늄계 물질인 것인, 가시광선-적외선 스텔스 소자. |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 제 1 항에 있어서, 상기 380 nm 내지 14,000 nm 범위 내의 파장 광에 대한 굴절률이 4 이하인 물질은 황화아연 또는 산화아연인 것인, 가시광선-적외선 스텔스 소자. |
| 10 | 제 9 항에 있어서,상기 380 nm 내지 14,000 nm 범위 내의 파장 광에 대한 굴절률이 4 이하인 물질은 황화아연이고, 상기 유전체층의 두께는 50 nm 내지 500 nm 범위 내인 것인,가시광선-적외선 스텔스 소자. |
| 11 | 제 1 항에 있어서, 상기 맥신층; 상기 반도체층 및 상기 유전체층으로 이루어진 것인 가시광선-적외선 스텔스 소자. |
