| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 두 전극이 있는 기판;상기 전극을 덮으며, 상기 기판 상에 배치된 가스 감응층; 및상기 가스 감응층 상에 배치된 고분자층; 을 포함하고,상기 고분자층은 금속유기골격체 입자를 포함하고,상기 고분자층은 고분자에 상기 금속유기골격체 입자가 첨가되고,상기 고분자층에서, 상기 금속유기골격체 입자의 첨가 비율은 1.0 wt% 내지 15 wt%인 가스 센서. |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 가스 감응층은 산화티타늄(TiO2) 또는 산화텅스텐(WO3)을 포함하는 가스 센서. |
| 3 | 제 1항에 있어서,상기 금속유기골격체는 ZIF-7, ZIF-8, ZIF-67, ZIF-L, HKUST-1 및 UIO-66 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 가스 센서. |
| 4 | 제 1항에 있어서,상기 금속유기골격체는 기공 크기가 0.28 nm 내지 0.45 nm 인 가스 센서. |
| 6 | 두 전극이 있는 기판을 제공하는 단계;상기 전극을 덮으며, 상기 기판 상에 가스 감응층을 형성하는 단계; 및상기 가스 감응층 상에 금속유기골격체 입자를 포함하는 고분자층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 고분자층은 고분자에 상기 금속유기골격체 입자가 첨가되고,상기 고분자층에서, 상기 금속유기골격체 입자의 첨가 비율은 1.0 wt% 내지 15 wt%인 가스 센서의 제조 방법. |
| 7 | 제 6항에 있어서,상기 가스 감응층은 산화티타늄(TiO2) 또는 산화텅스텐(WO3)을 포함하는 가스 센서의 제조 방법. |
| 8 | 제 6항에 있어서,상기 금속유기골격체는 ZIF-7, ZIF-8, ZIF-67, ZIF-L HKUST-1 및 UIO-66 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 가스 센서의 제조 방법. |
| 9 | 제 6항에 있어서,상기 금속유기골격체는 기공 크기가 0.28 nm 내지 0.45nm 인 가스 센서의 제조 방법. |
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