기판 상에 위치하는 제1층;상기 제1층과 특정 거리만큼 이격되어 상기 제1층 상에 위치하는 제2층; 및상기 제1층과 상기 제2층 사이에서 상기 특정 거리를 형성하는 이격층을 포함하고,상기 제1층 및 상기 제2층은, 구조적 이중층(structural double layer)을 형성하고, 메타물질(meta material)로서 구현되며,상기 이격층은, 상기 제1층과 상기 제2층을 구현하는 물질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 물질로 구현되고,상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층의 두께는, 상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층에 입사된 빛의 파장보다 작게 구현되며,상기 형성된 구조적 이중층(structural double layer)은, 상기 입사된 빛에 대한 전자기파 반응의 비국소성(nonlocality)을 활용하여 상기 입사된 빛의 입사각에 따라 유효굴절률(effective refractive index)이 변하는 시공간분산(spatiotemporal dispersion)을 구현하고,상기 기판은, 결정질 실리콘(c-Si), 비균질 실리콘(a-Si), 폴리실리콘(poly-Si), 결정질 게르마늄(c-Ge), 또는 비균질 게르마늄(a-Ge) 중 어느 하나를 포함하는 무반사막.

삭제

제1항에 있어서,상기 제1층 및 상기 제2층은, 상기 기판이 상기 실리콘 기판일 경우, 산화실리콘(SiO2), 플루오린화바륨(BaF2), 브로민화칼륨(KBr), 또는 1.40 내지 1.55의 굴절률을 갖는 유리 물질 혹은 플라스틱 중 어느 하나에 의해 구현되고,상기 이격층은, 상기 기판이 상기 실리콘 기판일 경우, 상기 제 1층 및 상기 제 2층을 구현하는 물질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 상기 결정질 실리콘(c-Si), 상기 비균질 실리콘(a-Si) 또는 상기 폴리실리콘(poly-Si) 중 어느 하나에 의해 구현되는무반사막.

제3항에 있어서,상기 제2층의 두께는, 상기 제1층과 상기 제2층을 구현하는 매질의 굴절률에 따라 상기 제1층의 두께의 5.0배 내지 7.7배로 구현되고,상기 이격층의 두께는, 상기 특정 거리에 해당하고, 상기 제1층의 두께의 0.7배 내지 1.6배로 구현되는 무반사막.

제3항에 있어서,상기 이격층의 두께는, 상기 특정 거리에 해당하고, 상기 입사된 빛의 중심 파장 의 0.020배 내지 0.027배로 구현되는무반사막.

제1항에 있어서,상기 형성된 구조적 이중층(structural double layer)은, 상기 기판이 상기 실리콘 기판일 경우, 1.1 μm 내지 2.5 μm의 파장을 갖는 근적외선 및 단적외선 영역에서, 0도 내지 60도의 입사각에 대해 편광방향에 관계없이 적외선 반사를 차단하는무반사막.

제1항에 있어서,상기 제1층 및 상기 제2층은, 상기 기판이 상기 게르마늄 기판일 경우, 산화게르마늄(GeO2), 산화실리콘(SiO2), 플루오린화바륨(BaF2), 플루오린마그네슘(MgF2), 산화알루미늄(Al2O3), 브로민화칼륨(KBr), 또는 1.3 내지 1.7의 굴절률을 갖는 유리 물질 혹은 플라스틱 물질 중 어느 하나에 의해 구현되고,상기 이격층은, 상기 기판이 상기 게르마늄 기판일 경우, 상기 제 1층 및 상기 제 2층을 구현하는 물질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 상기 결정질 게르마늄(c-Ge) 또는 상기 비균질 게르마늄(a-Ge) 중 어느 하나에 의해 구현되는무반사막.

제7항에 있어서,상기 제2층의 두께는, 상기 제1층과 상기 제2층을 구현하는 매질의 굴절률에 따라 상기 제1층의 두께의 4.7배 내지 6.1배로 구현되고,상기 이격층의 두께는, 상기 특정 거리에 해당하고, 상기 제1층의 두께의 0.52배 내지 0.75배로 구현되는 무반사막.

제7항에 있어서,상기 이격층의 두께는, 상기 특정 거리에 해당하고, 상기 입사된 빛의 중심 파장인 3.1 μm의 0.018배 내지 0.021배로 구현되는무반사막.

제1항에 있어서,상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층은, 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 및 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)을 활용한 대면적 증착에 기반하여 구현되는무반사막.

제1항에 있어서,상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층의 두께는 전자기파와 매질 사이의 상호작용 확장성(scalability)를 고려하여, 상기 매질의 굴절률을 유지하는 주파수 대역에서 동일한 비율로 조절되는무반사막.

제11항에 있어서,상기 형성된 구조적 이중층(structural double layer)은, 500 nm 내지 5000 nm 파장대의 가시광선과 적외선 영역에서, 만능 임피던스 정합을 이루어 상기 입사된 빛의 주파수, 입사각 또는 편광 방향 중 적어도 어느 하나와 무관하게 상기 기판과 공기 사이에서 상기 입사된 빛의 반사를 차단하는무반사막.

결정질 실리콘(c-Si), 비균질 실리콘(a-Si) 또는 폴리실리콘(poly-Si) 중 어느 하나에 의해 구현된 실리콘 기판 또는 결정질 게르마늄(c-Ge) 또는 비균질 게르마늄(a-Ge) 중 어느 하나에 의해 구현된 게르마늄 기판 중 어느 하나로 기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 제1층을 형성하는 단계;상기 형성된 제1층 상에 특정 거리에 해당하는 두께로 이격층을 형성하는 단계; 및상기 제1층과 상기 특정 거리만큼 이격하여 상기 제1층 및 상기 이격층 상에 제2층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1층 및 상기 제2층은, 구조적 이중층(structural double layer)을 형성하고, 메타물질(meta material)로서 구현되며,상기 이격층은, 상기 제1층과 상기 제2층을 구현하는 물질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 물질로 구현되고,상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층의 두께는, 상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층에 입사된 빛의 파장보다 작게 구현되며,상기 형성된 구조적 이중층(structural double layer)은, 상기 입사된 빛에 대한 전자기파 반응의 비국소성(nonlocality)을 활용하여 상기 입사된 빛의 입사각에 따라 유효굴절률(effective refractive index)이 변하는 시공간분산(spatiotemporal dispersion)을 구현하는 무반사막의 형성 방법.

삭제

제13항에 있어서,상기 기판 상에 제1층을 형성하는 단계는,상기 기판이 상기 실리콘 기판일 경우, 산화실리콘(SiO2), 플루오린화바륨(BaF2), 브로민화칼륨(KBr), 또는 1.40 내지 1.55의 굴절률을 갖는 유리 물질 혹은 플라스틱 물질 중 어느 하나를 이용하여 상기 제1층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 형성된 제1층 상에 특정 거리에 해당하는 두께로 이격층을 형성하는 단계는,상기 기판이 상기 실리콘 기판일 경우, 상기 제 1층 및 상기 제2층을 구현하는 물질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 상기 결정질 실리콘(c-Si), 상기 비균질 실리콘(a-Si) 또는 상기 폴리실리콘(poly-Si) 중 어느 하나를 이용하여 상기 이격층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1층과 상기 특정 거리만큼 이격하여 상기 제1층 및 상기 이격층 상에 제2층을 형성하는 단계는,상기 기판이 상기 실리콘 기판일 경우, 상기 산화실리콘(SiO2), 상기 플루오린화바륨(BaF2), 상기 브로민화칼륨(KBr), 또는 상기 1.40 내지 1.55의 굴절률을 갖는 유리 물질 혹은 플라스틱 물질 중 어느 하나를 이용하여 상기 제2층을 형성하는 단계를 포함하는무반사막의 형성 방법.

제13항에 있어서,상기 기판 상에 제1층을 형성하는 단계는,상기 기판이 상기 게르마늄 기판일 경우, 산화게르마늄(GeO2), 산화실리콘(SiO2), 플루오린화바륨(BaF2), 플루오린마그네슘(MgF2), 산화알루미늄(Al2O3), 브로민화칼륨(KBr), 또는 1.3 내지 1.7의 굴절률을 갖는 유리 물질 혹은 플라스틱 물질 중 어느 하나를 이용하여 상기 제1층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 형성된 제1층 상에 특정 거리에 해당하는 두께로 이격층을 형성하는 단계는,상기 기판이 상기 게르마늄 기판일 경우, 상기 제1층 및 상기 제2층을 구현하는 물질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 상기 결정질 게르마늄(c-Ge) 또는 상기 비균질 게르마늄(a-Ge) 중 어느 하나를 이용하여 상기 이격층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1층과 상기 특정 거리만큼 이격하여 상기 제1층 및 상기 이격층 상에 제2층을 형성하는 단계는,상기 기판이 상기 게르마늄 기판일 경우, 상기 산화게르마늄(GeO2), 산화실리콘(SiO2), 상기 플루오린화바륨(BaF2), 상기 플루오린마그네슘(MgF2), 상기 산화알루미늄(Al2O3), 상기 브로민화칼륨(KBr), 또는 상기 1.3 내지 1.7의 굴절률을 갖는 유리 물질 혹은 플라스틱 물질 중 어느 하나를 이용하여 상기 제2층을 형성하는 단계를 포함하는무반사막의 형성 방법.