상부에 요철 구조를 갖는 성장기판; 및상기 성장기판 상에 상기 요철 구조 상에 배치된 제1 반도체층을 포함하고,상기 성장기판과 상기 제1 반도체층 사이에 에어 보이드를 포함하고,상기 성장기판은 상기 요철 구조의 복수의 볼록부를 갖고,상기 에어 보이드는 상기 복수의 볼록부 사이에 배치되고,상기 성장기판은 상기 복수의 볼록부 사이에 배치된 C(00-01)과 상이한 면 지수를 포함하는 오목부를 포함하는 기판.

제1 항에 있어서,상기 에어 보이드는 상기 요철 구조 사이의 평탄한 C(00-01)면의 바닥부를 포함하는 기판.

제2 항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 바닥부로부터 일정 간격 이격된 기판.

제1 항에 있어서,상기 에어 보이드의 상부 끝단은 상기 요철 구조의 상부 끝단보다 위에 배치된 기판.

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제1 항에 있어서,상기 오목부는 R(10-12)면, r(10-11)면, S(20-21)면, m(10-10)면 중 적어도 하나 이상을 포함하는 기판.

제1 항에 있어서,상기 제1 반도체층과 접하는 상기 요철 구조는 n(22-43)면, p(11-23)면, a(11-20)면 중 어느 하나인 기판.

제1 항에 있어서,상기 요철 구조는 a(11-20)면 방향으로 배열되고, 상기 에어 보이드는 탑뷰가 사각 형상 및 마름모 형상 중 하나를 갖는 기판.

제1 항에 있어서,상기 요철 구조는 m(10-10)면 방향으로 배열되고, 상기 에어 보이드는 탑뷰가 다각 형상 및 육각 형상 중 하나를 갖는 기판.

제1 항에 있어서,상기 제1 반도체층 상에 배치되어 7 페어 내지 30 페어 교번되는 제1 및 제2 층을 포함하는 2.14 이상의 굴절률을 갖는 반사부를 더 포함하고,상기 반사부는 타겟 파장을 반사하고, 상기 타겟 파장은 470㎚ 내지 490㎚ 에서 피크를 갖는 파장, 510㎚ 내지 530㎚ 에서 피크를 갖는 파장, 자외선 파장 및 적외선 파장 중 적어도 하나인 기판.

제1 항 내지 제4 항 및 제6항 내지 제10항 중 어느 하나의 기판; 및상기 기판 상에 배치된 발광 구조물을 포함하는 반도체 소자.