전자이동층;아민기를 갖는 덴드리머가, 상기 전자이동층 상(on)에 코팅되어 형성된 덴드리머 단분자층; 및양자점이, 상기 덴드리머 단분자층 상에 코팅되어 형성된 양자점 발광층;을 포함하고,상기 덴드리머 단분자층과 접하는 상기 양자점 발광층의 접촉면에서, 상기 양자점의 표면 리간드 중 일부가 상기 아민기와 리간드 치환되며,상기 아민기를 갖는 덴드리머는 2 내지 4 세대인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자.

제1항에 있어서,상기 아민기를 갖는 덴드리머는 폴리아미도아민인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자.

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제1항에 있어서,상기 양자점 발광층은 1 내지 10층으로 적층된 다층구조인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자.

제1항에 있어서,상기 전자이동층은 ZnO, TiO2, WO3 및 SnO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자.

제1항에 있어서,상기 양자점 발광층은 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자.

제6항에 있어서,상기 나노 반도체 화합물은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTe), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 머큐리텔레라이드(HgTe), 인듐 아세나이드(InAs), 인듐 포스포러스(InP), 갈륨 아세나이드(GaAs) 또는 그 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자.

(a) 기판 상에 전자이동층을 형성하는 단계;(b) 상기 전자이동층 상에 아민기를 갖는 덴드리머 단분자층을 코팅하는 단계; 및(c) 상기 단분자층 상에 양자점을 코팅하여, 양자점 발광층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계에서, 상기 덴드리머 단분자층과 접하는 상기 양자점 발광층의 접촉면에서, 상기 양자점의 표면 리간드 중 일부가 상기 아민기와 리간드 치환되며,상기 아민기를 갖는 덴드리머는 2 내지 4 세대인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자의 제조방법.

제8항에 있어서,상기 양자점 발광층 및 전자이동층은 용액 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자의 제조방법.

제8항에 있어서,상기 아민기를 갖는 덴드리머는 폴리아미도아민인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자의 제조방법.

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제8항에 있어서,상기 양자점 발광층은 1 내지 10층으로 적층된 다층구조인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자의 제조방법.