상부에 요철 구조를 갖는 성장기판;상기 성장기판 상에 상기 요철 구조를 덮는 제1 반도체층; 및상기 제1 반도체층 상에 배치되어 7 페어 내지 30 페어 교번되는 제1 및 제2 층을 포함하는 2.14 이상의 굴절률을 갖는 반사부를 포함하는 기판.

제1 항에 있어서,상기 반사부는 타겟 파장을 반사하고, 상기 타겟 파장은 470㎚ 내지 490㎚ 에서 피크를 갖는 파장, 510㎚ 내지 530㎚ 에서 피크를 갖는 파장, 자외선 파장 및 적외선 파장 중 적어도 하나인 기판.

제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 층 각각은 GaN, AlN, AlGaN 중 어느 하나를 포함하는 기판.

제1 항에 있어서,상기 반사부의 굴절률은 2.14 내지 3.17인 기판.

제1 항에 있어서,상기 반사부는 470㎚ 내지 490㎚ 에서 피크 파장을 갖는 블루 파장을 반사하고,상기 제1 층은 GaN이고, 상기 제2 층은 AlxGa1-xN (0003c#x≤1)이고,상기 제1 층 각각의 두께는 48㎚ 내지 150㎚,상기 제2 층 각각의 두께는 50㎚ 내지 170㎚인 기판.

제1 항에 있어서,상기 반사부는 510㎚ 내지 530㎚ 에서 피크 파장을 갖는 그린 파장을 반사하고,상기 제1 층은 GaN이고, 상기 제2 층은 AlxGa1-xN (0003c#x≤1)이고,상기 제1 층 각각의 두께는 52㎚ 내지 160㎚,상기 제2 층 각각의 두께는 54㎚ 내지 180㎚인 기판.

제1 항에 있어서,상기 반사부는 70% 이상의 반사율을 갖는 기판.

제1 항에 있어서,상기 제1 반도체층의 상부면은 상기 요철 구조의 돌출된 상부 끝단보다 위에 배치되는 기판.

제8 항에 있어서,상기 제1 반도체층의 상부면과 상기 요철 구조의 돌출된 상부 끝단 사이의 간격은 5㎛ 이상인 기판.

제1 항에 있어서,상기 반사부 위에 배치된 제2 반도체층을 더 포함하는 기판.

제1 항 내지 제10 항 중 어느 하나의 기판;상기 기판 상에 배치된 리세스를 포함하는 격벽; 및상기 기판 상에 배치되고, 상기 리세스 내에 배치된 발광 구조물을 포함하는 발광소자.

제11 항에 있어서,상기 기판과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 본딩층을 더 포함하는 발광소자.

제11 항에 있어서,상기 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 포함하고,상기 제1 도저형 반도체층은 상기 기판 상에 성장되어 상기 기판과 직접 접하는 발광소자.