| 번호 | 청구항 |
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| 8 | 제5 항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 버퍼층은 10㎚ 내지 50㎚의 두께를 갖는 발광소자의 제조방법. |
| 9 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 RF Power가 800W 이하인 발광소자의 제조방법. |
| 10 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 RF Power가 300W 내지 800W인 발광소자의 제조방법. |
| 11 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 성장온도가 600℃ 이하인 발광소자의 제조방법. |
| 12 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 성장온도가 300℃ 내지 600℃인 발광소자의 제조방법. |
| 13 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 성장 압력이 5 mTorr 이하인 발광소자의 제조방법. |
| 14 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 성장 압력이 1 mTorr 내지 5 mTorr인 발광소자의 제조방법. |
| 1 | 요철구조를 갖는 기판;상기 기판 상에 위치한 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 위치한 발광구조물을 포함하고,상기 버퍼층은 40% 이상의 알루미늄 조성비를 갖는 발광소자. |
| 2 | 제1 항에 있어서,상기 버퍼층은 50㎚ 이하의 두께를 갖는 발광소자. |
| 3 | 제1 항에 있어서,상기 버퍼층은 10㎚ 내지 50㎚의 두께를 갖는 발광소자. |
| 4 | 제1 내지 제3 항 중 어느 하나의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지. |
| 5 | 요철구조를 갖는 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 활성층 및 상기 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 챔버내에서 100% 질소 가스 조성비를 갖는 발광소자의 제조방법. |
| 6 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 RF 스퍼터법으로 형성하는 발광소자의 제조방법. |
| 7 | 제5 항에 있어서,상기 버퍼층은 50㎚ 이하의 두께를 갖는 발광소자의 제조방법. |
